[發明專利]一種主動開關及其制作方法和顯示面板

在審

• 申請號: 202011219615.5
• 申請日: 2020-11-03
• 公開（公告）號: CN112542516A
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發明（設計）人: 孫松;周佑聯;許哲豪;余思慧
• 申請（專利權）人: 北海惠科光電技術有限公司;惠科股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/423;H01L21/34;H01L27/32;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) 44240
• 代理人: 邢濤

1.一種主動開關，其特征在于，包括：

襯底；

緩沖層，設置在所述襯底上；

有源層，由銦鎵鋅氧化物構成，設置在所述緩沖層上；

柵極絕緣層，設置在所述有源層上；

第一柵極，設置在所述柵極絕緣層上；

第二柵極，設置在所述柵極絕緣層上；

鈍化層，設置在所述第一柵極和第二柵極的上方；

源極，通過設置在所述鈍化層中的過孔，與所述有源層的一端連接；以及

漏極，通過設置在所述鈍化層中的過孔，與所述有源層的另一端連接；

其中，所述第一柵極和第二柵極并列設置，且位于所述源極和漏極之間。

2.如權利要求1所述的一種主動開關，其特征在于，所述第一柵極和第二柵極同層設置。

3.如權利要求2所述的一種主動開關，其特征在于，所述有源層包括第一摻雜區、第二摻雜區、第三摻雜區、第一非摻雜區和第二非摻雜區，所述第一摻雜區設置在所述第一非摻雜區和第二非摻雜區之間，所述第一非摻雜區設置在所述第一摻雜區和第二摻雜區之間，所述第二非摻雜區設置在所述第一摻雜區和第三摻雜區之間；

所述柵極絕緣層包括第一柵極絕緣層和第二柵極絕緣層，所述第一柵極絕緣層與所述第一非摻雜區重疊，所述第二柵極絕緣層與所述第二非摻雜區重疊。

4.如權利要求3所述的一種主動開關，其特征在于，所述第一柵極絕緣層與所述第一柵極重疊，所述第二柵極絕緣層與所述第二柵極重疊。

5.如權利要求1所述的一種主動開關，其特征在于，所述柵極絕緣層包括堆疊設置的第三柵極絕緣層和第四柵極絕緣層，所述第三絕緣層設置在所述第四絕緣層與所述有源層之間。

6.如權利要求3所述的一種主動開關，其特征在于，所述第一摻雜區、第二摻雜區和第三摻雜區都為N型高摻雜區。

7.如權利要求1所述的一種主動開關，其特征在于，所述第一柵極與所述第二柵極的寬度相等。

8.一種應用于上述權利要求1-7任意一項的所述的主動開關的制作方法，其特征在于，包括步驟：

在襯底上形成緩沖層；

在所述緩沖層上形成銦鎵鋅氧化物型的有源層；

在所述有源層上形成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上形成第一柵極和第二柵極；

對所述有源層中除與所述第一柵極、第二柵極和柵極絕緣層重疊部分以外的區域進行高摻雜；

在所述第一柵極、第二柵極上形成鈍化層；以及

在所述鈍化層上蝕刻通孔，并形成源極和漏極分別與所述有源層的兩端連接；

其中，所述第一柵極和第二柵極并列設置，且位于所述源極和漏極之間。

9.如權利要求8所述的一種主動開關的制作方法，其特征在于，所述在柵極絕緣層上同步形成第一柵極和第二柵極的步驟中，包括步驟；

在所述柵極絕緣層上形成柵極金屬層；

將所述柵極金屬層蝕刻成第一柵極和第二柵極；以及

以所述第一柵極和第二柵極為蝕刻阻擋層將所述柵極絕緣層蝕刻成第一柵極絕緣層和第二柵極絕緣層；

其中，所述第一柵極絕緣層與所述第一柵極的圖案相同，所述第二柵極絕緣層與所述第二柵極的圖案相同。

10.一種顯示面板，其特征在于，包括如權利要求1至7任意一項所述的主動開關，以及被配置為顯示畫面的像素，所述主動開關控制所述像素打開與關閉。