[發(fā)明專利]鐵錫-鐵錫氮化合物一體化鋰離子電池負(fù)極及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011219244.0 | 申請(qǐng)日: | 2020-11-04 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112331815B | 公開(公告)日: | 2021-09-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉文博;饒雪蘭;向鵬;顏家振;李寧 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 四川大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01M4/134 | 分類號(hào): | H01M4/134;H01M4/136;H01M4/38;H01M4/58;H01M4/1395;H01M4/1397;H01M10/0525 |
| 代理公司: | 北京中濟(jì)緯天專利代理有限公司 11429 | 代理人: | 郭萍 |
| 地址: | 610065 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鐵錫 氮化 一體化 鋰離子電池 負(fù)極 及其 制備 方法 | ||
1.鐵錫-鐵錫氮化合物一體化鋰離子電池負(fù)極,其特征在于,該鋰離子電池負(fù)極由鐵錫化合物和鐵錫氮化合物組成,所述鐵錫化合物為單獨(dú)的FeSn,或者為FeSn和FeSn2,所述鐵錫氮化合物為Fe3SnN,該鋰離子電池負(fù)極具有雙連續(xù)、開孔式三維微米-納米復(fù)合分級(jí)孔結(jié)構(gòu),納米孔結(jié)構(gòu)分布在由鐵錫化合物和鐵錫氮化合物共同構(gòu)成的三維微米多孔骨架上;該鋰離子電池負(fù)極由鐵錫合金經(jīng)腐蝕液腐蝕形成,腐蝕液由氫氟酸和硝酸組成,腐蝕液中,氫氟酸的濃度為1wt.%~5wt.%,硝酸濃度為1wt.%~5wt.%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述鐵錫-鐵錫氮化合物一體化鋰離子電池負(fù)極,其特征在于,該鋰離子電池負(fù)極中的微米孔結(jié)構(gòu)的尺寸為5~60μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述鐵錫-鐵錫氮化合物一體化鋰離子電池負(fù)極,其特征在于,該鋰離子電池中的納米孔結(jié)構(gòu)的尺寸為50~800nm。
4.權(quán)利要求1至3中任一權(quán)利要求所述鐵錫-鐵錫氮化合物一體化鋰離子電池負(fù)極的制備方法,其特征在于:
將鐵錫合金片打磨拋光,洗滌、烘干,置于由氫氟酸和硝酸組成的腐蝕液中進(jìn)行腐蝕,控制腐蝕溫度為25~35℃、腐蝕時(shí)間為1~8h,在腐蝕過程中,鐵錫合金片中的富錫相及富鐵相發(fā)生部分溶解,部分溶解后剩余的錫元素與鐵元素自組裝形成鐵錫化合物,所述鐵錫化合物為單獨(dú)的FeSn,或者為FeSn和FeSn2,鐵錫合金片中的鐵錫化合物以及自組裝形成的鐵錫化合物被腐蝕液中的硝酸部分氧化形成Fe3SnN,得到鐵錫-鐵錫氮化合物一體化鋰離子電池負(fù)極,將所得鋰離子電池負(fù)極用水和乙醇洗滌;
所述腐蝕液中,氫氟酸的濃度為1wt.%~5wt.%,硝酸濃度為1wt.%~5wt.%;鐵錫合金片中鐵與錫的原子百分比為(100-X):X,其中,X為20~80。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述鐵錫-鐵錫氮化合物一體化鋰離子電池負(fù)極的制備方法,其特征在于,當(dāng)20≤X≤55時(shí),在腐蝕過程中形成的鐵錫化合物為FeSn,鐵錫氮化合物為Fe3SnN,得到的鋰離子電池負(fù)極為三維微納米復(fù)合多孔FeSn-Fe3SnN一體化鋰離子電池負(fù)極。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述鐵錫-鐵錫氮化合物一體化鋰離子電池負(fù)極的制備方法,其特征在于,當(dāng)55<X≤80時(shí),在腐蝕過程中形成的鐵錫化合物為FeSn和FeSn2,鐵錫氮化合物為Fe3SnN,得到的鋰離子電池負(fù)極為FeSn/FeSn2-Fe3SnN一體化鋰離子電池負(fù)極。
7.根據(jù)權(quán)利要求4至6中任一權(quán)利要求所述鐵錫-鐵錫氮化合物一體化鋰離子電池負(fù)極的制備方法,其特征在于,腐蝕液中,氫氟酸的濃度為3wt.%~5wt.%,硝酸濃度為1wt.%~3wt.%。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述鐵錫-鐵錫氮化合物一體化鋰離子電池負(fù)極的制備方法,其特征在于,腐蝕液中,氫氟酸的濃度大于硝酸的濃度。
9.根據(jù)權(quán)利要求4至6中任一權(quán)利要求所述鐵錫-鐵錫氮化合物一體化鋰離子電池負(fù)極的制備方法,其特征在于,鐵錫合金片的厚度為200~800μm。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于四川大學(xué),未經(jīng)四川大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011219244.0/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 導(dǎo)電化合物上的大晶粒低電阻率鎢
- 基于六方氮化硼和磁控濺射氮化鋁的氮化鎵生長方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及制備方法及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 連續(xù)氮化處理爐和連續(xù)氮化處理方法
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法





