[發明專利]半導體結構及半導體結構制作方法

在審

• 申請號: 202011219025.2
• 申請日: 2020-11-04
• 公開（公告）號: CN114446955A
• 公開（公告）日: 2022-05-06
• 發明（設計）人: 馬經綸
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 張娜;劉芳

1.一種半導體結構，其特征在于，包括：層疊設置的襯底、柵介質層以及導電層，所述柵介質層位于所述襯底和所述導電層之間；

所述襯底包括同層設置的半導體基底以及絕緣基底，所述導電層包括在所述襯底上的投影覆蓋所述半導體基底的柵極導體層、以及在所述襯底上的投影覆蓋所述絕緣基底的外部連接層，所述外部連接層朝向所述襯底的底面設置有凹槽，所述凹槽內填充有絕緣體。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述導電層包括層疊設置的第一導電層和第二導電層，所述第一導電層靠近所述襯底設置；所述凹槽設置在所述第一導電層朝向襯底的底面上。

3.根據權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述凹槽貫穿所述外部連接層對應的所述第一導電層。

4.根據權利要求2或3所述的半導體結構，其特征在于，所述導電層還包括位于所述第一導電層和所述第二導電層之間的第三導電層，所述第三導電層與所述第一導電層和所述第二導電層接合。

5.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構還包括柵極絕緣層，所述柵極絕緣層覆蓋在所述導電層背離所述襯底的一側，且所述柵極絕緣層具有延伸至所述導電層垂直于所述襯底的側壁上的絕緣側壁。

6.根據權利要求5所述的半導體結構，其特征在于，所述外部連接層對應的所述絕緣側壁上設置有與所述凹槽連通的側壁開口。

7.根據權利要求6所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構還包括絕緣覆蓋層，所述絕緣覆蓋層覆蓋在所述柵極絕緣層以及所述襯底上；

所述絕緣覆蓋層上設置有通道，所述通道延伸至所述柵介質層，所述通道與所述側壁開口連通；所述通道內填充有絕緣填充物。

8.根據權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，所述絕緣填充物與所述絕緣體為一體結構。

9.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構還包括接線部，所述接線部的一端與所述外部連接層背離所述襯底的一側連接，所述接線部的另一端向背離所述襯底的方向延伸，所述接線部用于與外部器件連接。

10.一種半導體結構制作方法，其特征在于，

提供襯底，所述襯底包括同層設置的半導體基底以及絕緣基底；

在所述襯底上形成層疊的柵介質層、第一導電層、第二導電層以及絕緣覆蓋層，所述絕緣覆蓋層覆蓋在所述第一導電層和所述襯底上；

在所述絕緣覆蓋層上形成掩膜層，所述掩膜層上具有蝕刻孔，部分所述蝕刻孔在所述絕緣基底上的投影與所述第二導電層在所述絕緣基底上的投影重合；

去除所述蝕刻孔對應的所述絕緣覆蓋層，以形成通道，所述通道至少延伸至所述柵介質層層；

通過所述通道去除投影位于所述絕緣基底上的至少部分所述第二導電層，以形成凹槽；

通過所述通道在所述凹槽內形成絕緣體。

11.根據權利要求10所述的半導體結構制作方法，其特征在于，在形成所述絕緣覆蓋層之前還包括：在所述第一導電層和所述第二導電層上形成柵極絕緣層，所述柵極絕緣層覆蓋所述第一導電層上，且所述柵極絕緣層具有延伸至所述第一導電層和所述第二導電層垂直于所述襯底的側壁上的絕緣側壁；

形成所述凹槽之前包括：通過所述通道對所述柵極絕緣層進行蝕刻，以去除正對所述絕緣基底的所述絕緣側壁，以形成側壁開口；

形成所述凹槽包括：通過所述通道以及所述側壁開口去除投影位于所述絕緣基底上的至少部分所述第二導電層，以形成凹槽。

12.根據權利要求10所述的半導體結構制作方法，其特征在于，通過所述通道在所述凹槽內形成絕緣體的同時，在所述通道內形成絕緣填充物。

13.根據權利要求10所述的半導體結構制作方法，其特征在于，在形成所述第二導電層之前還包括在所述第一導電層上形成第三導電層。