[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202011218160.5
• 申請日: 2020-11-04
• 公開（公告）號: CN114446811A
• 公開（公告）日: 2022-05-06
• 發明（設計）人: 柳圣浩;張欣;楊濤;趙劼
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 金銘

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

半導體襯底，形成有芯片區以及切割線區；

第一密封環以及第二密封環，設置在所述芯片區與所述切割線區之間，所述第二密封環圍繞所述芯片區而設，所述第一密封環圍繞所述第二密封環而設；

測試墊，設置在所述切割線區；

其中，第二密封環內形成與所述測試墊連接的測試導線。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二密封環包括層疊設置的第一金屬配線組以及第二金屬配線組，所述第一金屬配線組與所述第二金屬配線組絕緣連接，所述第一金屬配線組與所述半導體襯底電連接，所述第一金屬配線組、所述第二金屬配線組分別包括層疊設置的多層金屬配線，其中，將至少部分所述第一金屬配線組作為所述測試導線與所述測試墊連接，以測量至少部分所述第一金屬配線組的電特性。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，將所述第一金屬配線組內的至少一層金屬配線作為所述測試導線與所述測試墊連接，以測量至少一層金屬配線的電特性。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，作為所述測試導線的金屬配線在水平方向上呈蛇形布置，且所述蛇形在折彎處的夾角呈90°。

5.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，作為所述測試導線的金屬配線在水平方向上一部分呈蛇形布置，一部分呈直線形。

6.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，作為所述測試導線的金屬配線向外延伸與所述測試墊連接。

7.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一金屬配線組還包括將兩層相鄰的金屬配線連接的過孔連接件，將至少一個所述過孔連接件作為所述測試導線與所述測試墊連接，以測量至少一個所述過孔連接件的電特性。

8.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二密封環內所有的金屬配線在豎直方向上的位置對應。

9.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二密封環內所有的金屬配線在豎直方向上錯位設置。