[發(fā)明專利]一種超材料單元、超表面、電磁設(shè)備及編碼方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011217615.1 | 申請(qǐng)日： | 2020-11-04 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112332103B | 公開（公告）日： | 2022-07-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王啟東;萬(wàn)偉康 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所 |
| 主分類號(hào)： | H01Q15/00 | 分類號(hào)： | H01Q15/00 |
| 代理公司： | 北京知迪知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11628 | 代理人： | 付珍;王勝利 |
| 地址： | 100029 *** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 材料 單元 表面 電磁 設(shè)備 編碼 方法 | ||
1.一種超材料單元，其特征在于，包括：
反射部；
位于所述反射部下方的第一介質(zhì)部，所述第一介質(zhì)部朝向所述反射部的表面開設(shè)有容納第一工作流體的儲(chǔ)液槽；
以及位于所述反射部上方的第二介質(zhì)部，所述第二介質(zhì)部遠(yuǎn)離所述反射部的表面開設(shè)有容納第二工作流體的電解液槽，所述電解液槽與所述儲(chǔ)液槽連通；
所述超材料單元的狀態(tài)包括非填充狀態(tài)和填充狀態(tài)；當(dāng)超材料單元處于非填充狀態(tài)，所述第一工作流體包括液態(tài)金屬和電解液，所述第二工作流體為電解液；當(dāng)施加在所述儲(chǔ)液槽內(nèi)電解液的電壓高于施加在所述電解液槽內(nèi)電解液的電壓時(shí)，所述超材料單元處于填充狀態(tài)，所述第二工作流體至少包括液態(tài)金屬；
當(dāng)施加在所述儲(chǔ)液槽內(nèi)電解液的電壓與施加在所述電解液槽內(nèi)電解液的電壓之間的電壓差為0.5V～5V時(shí)，所述超材料單元處于填充狀態(tài)；
所述超材料單元還包括陽(yáng)極和陰極；所述陽(yáng)極與所述儲(chǔ)液槽容納的第一工作流體電接觸，所述陰極與所述電解液槽容納的第二工作流體電接觸；
所述電解液槽的側(cè)壁為金屬側(cè)壁；所述陰極與所述金屬側(cè)壁電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超材料單元，其特征在于，當(dāng)超材料單元處于非填充狀態(tài)，所述第一工作流體包括的液態(tài)金屬的體積大于所述電解液槽的體積V。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超材料單元，其特征在于，當(dāng)超材料單元處于非填充狀態(tài)，所述第一工作流體包括的液態(tài)金屬的體積大于0且小于或等于所述儲(chǔ)液槽的體積V。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的超材料單元，其特征在于，當(dāng)超材料單元處于非填充狀態(tài)，所述第一工作流體包括的液態(tài)金屬的體積等于(0.1～1)V。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的超材料單元，其特征在于，所述電解液所含有的電解質(zhì)為NaOH、HCl或NaCl；和/或，
所述電解液槽的輪廓形狀為規(guī)則形狀或異形形狀；和/或，
所述液態(tài)金屬包括鎵基液態(tài)金屬合金、銦基液態(tài)金屬合金、錫基液態(tài)金屬合金、鋅基液態(tài)金屬合金、鉍基液態(tài)金屬合金中的一種或多種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超材料單元，其特征在于，所述陰極穿過(guò)所述第一介質(zhì)部、反射部伸入所述第二介質(zhì)部?jī)?nèi)，與所述金屬側(cè)壁電接觸；
所述陽(yáng)極的一端伸入所述第一介質(zhì)部，并至少在所述儲(chǔ)液槽的槽底裸露。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的超材料單元，其特征在于，所述金屬側(cè)壁的材質(zhì)為耐腐蝕金屬，和/或，所述陽(yáng)極和所述陰極的材料均為耐輻射金屬或石墨。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的超材料單元，其特征在于，所述第二介質(zhì)部和所述反射部均開設(shè)有與所述儲(chǔ)液槽和所述電解液槽連通的通孔，所述通孔容納有電解液。
9.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的超材料單元，其特征在于，所述超材料單元還包括位于所述第二介質(zhì)部上表面的第三介質(zhì)部，所述第三介質(zhì)部密封所述電解液槽；所述第三介質(zhì)部與所述第二介質(zhì)部一體成型或分體設(shè)置；
所述第一介質(zhì)部、所述第二介質(zhì)部、所述第三介質(zhì)部中的至少一個(gè)的材質(zhì)為有機(jī)材料、陶瓷材料或硅。
10.一種超表面，其特征在于，所述超表面包括多個(gè)權(quán)利要求1～9任一項(xiàng)所述的超材料單元。
11.一種電磁設(shè)備，其特征在于，所述電磁設(shè)備應(yīng)用權(quán)利要求10所述的超表面，其中，所述電磁設(shè)備為雷達(dá)隱身設(shè)備、微波成像設(shè)備或天線。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)科學(xué)院微電子研究所，未經(jīng)中國(guó)科學(xué)院微電子研究所許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011217615.1/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
