[發明專利]一種具有負介電常數的液晶組合物及其應用

有效

• 申請號: 202011217612.8
• 申請日: 2020-11-04
• 公開（公告）號: CN112342033B
• 公開（公告）日: 2023-04-14
• 發明（設計）人: 李珊珊;陳新華;吳成勝
• 申請（專利權）人: 晶美晟光電材料（南京）有限公司
• 主分類號: C09K19/44
• 分類號: C09K19/44;G02F1/1333
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種具有負介電常數的液晶組合物及其應用，所述液晶組合物包括至少一種具有通式I所示的液晶化合物、至少一種具有通式II1～II12的液晶化合物以及通式III、通式IV和/或通式V所示液晶化合物中的至少一種。本發明的液晶組合物具有較高的介電常數值以及較低的旋轉粘度，從而能夠提高液晶材料的響應速度、降低能耗，特別有利于制造低驅動、快速響應的液晶顯示器件。

技術領域

本發明涉及液晶材料領域，具體涉及一種具有負介電常數的液晶組合物及其應用。

背景技術

20世紀60年代，RCA公司首次發現用電刺激會改變液晶的透光方式，并隨后應用該性質發布了液晶顯示技術后，液晶才逐漸引起人們的高度重視，并迅速發展至各個領域。1966年，杜邦公司利用芳族聚酰胺液晶合成了Kevlar纖維后，液晶材料開始了工業化進程。經過幾十年的迅速發展，液晶材料憑借其特殊的性能已廣泛應用于顯示技術、光學存儲設備和太陽能電池等眾多領域，研究范圍更是遍及化學、生物及信息科學等眾多領域，成為當今社會上備受青睞、不可或缺的新型材料之一。

液晶顯示器可分為無源矩陣(又稱為被動矩陣或簡單矩陣)和有源矩陣(又稱為主動矩陣)兩種驅動方式。其中，有源矩陣液晶顯示器是通過施加電壓來改變液晶化合物的排列方式，從而改變背光源發出的光發射強度來形成圖像，其由于具有高分辨率、高對比度、低功率、面薄以及質輕的特點越來越受到人們的青睞。有源矩陣液晶顯示器根據有源器件可以分為兩種類型：在作為襯底的硅芯片上的MOS(金屬氧化物半導體)或其它二極管；在作為襯底的玻璃板上的薄膜晶體管(Thin?Film?Transistor-TFT)，其中，目前發展最迅速的是薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)，其已在手機、電腦、液晶電視和相機等顯示設備上得到了良好的應用，成為目前液晶市場的主流產品。

隨著TFT-LCD的不斷發展，寬視角模式已成為行業內追求的目標，目前主流的寬視角技術主要有VA垂直取向技術、IPS面內開關技術及FFS邊緣場開關技術等技術，這類技術都要求更高的光穿透率及較小的色偏。其中，對于IPS面內開關技術及FFS邊緣場開關技術，由于施加電壓時電極間會產生面內電場，使該區域內光穿透受到限制，這樣會增加能耗及影響顯示效果，而負型液晶化合物在色偏及受垂直電場影響方面表現較為出色，比起正型材料，其表現出更高的光穿透率，因而受到廣泛應用。但目前市場上通用型的負型液晶材料的粘度一般較高，不利于響應速度的提高，因此開發具有低粘度、高負介電常數的液晶材料成為目前負性液晶材料的主要研究方向。

隨著液晶顯示器的廣泛應用，對其性能的要求也在不斷的提高，要求更廣的工作溫度、更快的響應速度和更高的對比度，而同時要求功耗越來越低，降低功耗意味著液晶顯示器要有更低的驅動電壓和更高的透光率。這些性能的提高都離不開液晶材料的改善。

發明內容

發明目的：本發明目的是提供一種具有負介電常數的液晶組合物及其應用，以改善現有技術中負性液晶材料粘度高、驅動電壓高的問題，進而可以提高響應速度、降低功耗。

技術方案：本發明一種具有負介電常數的液晶組合物，所述液晶組合物包括至少一種具有通式I所示的液晶化合物、至少一種具有通式II1～II12的液晶化合物以及通式III、通式IV和/或通式V所示液晶化合物中的至少一種；

所述通式I為：