[發(fā)明專利]發(fā)光封裝體及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202011217475.8
• 申請日: 2020-11-04
• 公開（公告）號: CN114447194A
• 公開（公告）日: 2022-05-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊凱銘;林晨浩;張家豪;李子念
• 申請（專利權(quán)）人: 欣興電子股份有限公司
• 主分類號: H01L33/54
• 分類號: H01L33/54;H01L33/62;H01L25/075
• 代理公司: 北京中原華和知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張琳

1.一種發(fā)光封裝體，其特征在于，包括：

密封件，具有第一表面以及相對該第一表面的第二表面；

多個發(fā)光元件，分別具有多個出光面以及相對所述出光面的多個背面，其中所述發(fā)光元件配置于該密封件中，而所述出光面皆裸露于該第一表面；

多個第一電極墊，分別具有多個第一接合面，并配置于該密封件中，而所述發(fā)光元件分別配置于所述第一電極墊上，并電性連接所述第一電極墊，其中所述第一接合面皆裸露于該第二表面，并與該第二表面切齊；

多個第二電極墊，分別具有多個第二接合面，并配置于該密封件中，其中所述第二接合面皆裸露于該第二表面，并與該第二表面切齊；以及

多個導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)，貫穿該密封件，并電性連接所述發(fā)光元件與所述第二電極墊，以使各該發(fā)光元件電性連接其中一個第一電極墊與其中一個第二電極墊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光封裝體，其特征在于，所述發(fā)光元件皆為垂直式發(fā)光二極管晶粒。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光封裝體，其特征在于，各該導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)包括：

導(dǎo)電柱，貫穿該密封件，并連接該第二電極墊；以及

導(dǎo)電層，形成于該第一表面上，并連接該導(dǎo)電柱與該發(fā)光元件。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光封裝體，其特征在于，至少一個該導(dǎo)電柱位于相鄰兩該發(fā)光元件之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光封裝體，其特征在于，該密封件更具有多個位于該第一表面的連接孔，所述連接孔局部暴露所述發(fā)光元件，而各該導(dǎo)電層從該第一表面延伸至該連接孔內(nèi)，并從該連接孔連接該發(fā)光元件。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光封裝體，其特征在于，還包括：

保護(hù)層，形成于該第二表面上，并具有多個開口，而所述開口分別暴露所述第一接合面與所述第二接合面。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光封裝體，其特征在于，該密封件的光學(xué)密度大于2。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光封裝體，其特征在于，該密封件的熱導(dǎo)率介于5至10瓦·米^-1·克爾文^-1。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光封裝體，其特征在于，該密封件更具有位于該第一表面與該第二表面之間的第一厚度，而各該發(fā)光元件更具有位于該出光面與該背面之間的第二厚度，其中該第一厚度大于該第二厚度，且該第一厚度與該第二厚度之間的差距介于5微米至50微米之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光封裝體，其特征在于，該第一厚度與該第二厚度之間的差距介于25微米至50微米之間。

11.一種發(fā)光封裝體的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成多個第一電極墊與多個第二電極墊；

在所述第一電極墊上分別配置多個發(fā)光元件，其中所述發(fā)光元件分別具有多個出光面，并且分別電性連接所述第一電極墊；

在該基板上形成模封材料，其中該模封材料覆蓋所述發(fā)光元件、所述第一電極墊與所述第二電極墊，并附著在該基板上；

圖案化位于該基板上的該模封材料，以形成具有多個盲孔與多個出光口的密封件，其中所述出光口分別暴露所述出光面，而所述盲孔分別暴露所述第二電極墊；

在該第一表面上與所述盲孔內(nèi)形成多個導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)，其中所述導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)電性連接所述發(fā)光元件與所述第二電極墊，而在形成所述導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)的期間，該基板依然保持完整；以及

在形成所述導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)之后，移除該基板至少一部分。