[發(fā)明專利]一種OLED顯示面板及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011217415.6
• 申請(qǐng)日: 2020-11-04
• 公開（公告）號(hào): CN112420782A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬倩;周星宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 李新干

1.一種OLED顯示面板，定義多個(gè)陣列排布的像素區(qū)域，每個(gè)所述像素區(qū)域中分成發(fā)光區(qū)以及非發(fā)光區(qū)，其特征在于，所述OLED顯示面板包括：

襯底基板；

遮光金屬層，位于所述襯底基板上且對(duì)應(yīng)所述非發(fā)光區(qū)；

彩色濾光層，位于所述襯底基板上且對(duì)應(yīng)所述發(fā)光區(qū)，與所述遮光金屬層間隔設(shè)置；

TFT結(jié)構(gòu)層，位于所述遮光金屬層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)；

第一透明電極層，位于所述彩色濾光層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)，且與所述TFT結(jié)構(gòu)層的有源層同層設(shè)置；以及

像素電極層，所述像素電極層一端與所述TFT結(jié)構(gòu)層的漏極相連，另一端與所述顯示面板的有機(jī)發(fā)光層相連，其中，在所述發(fā)光區(qū)，所述像素電極層與所述第一透明電極層之間形成耦合電容。

2.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述TFT結(jié)構(gòu)層還包括位于所述有源層之上的柵絕緣層、位于所述柵絕緣層之上的柵極、位于所述柵極和所述第一透明電極層之上的層間絕緣層、位于所述層間絕緣層之上的源極、位于所述源極和所述漏極之上的鈍化層、以及位于所述鈍化層之上的平坦化層，其中，在所述發(fā)光區(qū)，所述像素電極層位于第一凹槽內(nèi)側(cè)，所述第一凹槽貫穿所述平坦化層、所述鈍化層、以及部分所述層間絕緣層。

3.如權(quán)利要求2所述的OLED顯示面板，其特征在于，對(duì)應(yīng)所述第一凹槽內(nèi)側(cè)的所述像素電極層包括第二凹槽，所述有機(jī)發(fā)光層位于所述第二凹槽內(nèi)。

4.如權(quán)利要求3所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述第一凹槽的寬度大于所述有機(jī)發(fā)光層的寬度。

5.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述第一透明電極層的材料包括導(dǎo)體化的銦鎵鋅氧化物、銦鋅錫氧化物、或銦鎵鋅錫氧化物。

6.一種OLED顯示面板的制備方法，所述OLED顯示面板定義多個(gè)陣列排布的像素區(qū)域，每個(gè)所述像素區(qū)域中分成發(fā)光區(qū)以及非發(fā)光區(qū)，其特征在于，所述制備方法包括步驟：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板上對(duì)應(yīng)所述非發(fā)光區(qū)制備遮光金屬層；

在所述襯底基板上對(duì)應(yīng)所述發(fā)光區(qū)制備彩色濾光層，所述彩色濾光層與所述遮光金屬層間隔設(shè)置；

在所述遮光金屬層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)制備TFT結(jié)構(gòu)層；

在所述彩色濾光層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)制備第一透明電極層，所述第一透明電極層與所述TFT結(jié)構(gòu)層的有源層同層制備；

在所述TFT結(jié)構(gòu)層和所述第一透明電極層之上制備像素電極層；以及

在所述像素電極層之上對(duì)應(yīng)所述發(fā)光區(qū)制備有機(jī)發(fā)光層，其中，所述像素電極層一端與所述TFT結(jié)構(gòu)層的漏極相連，另一端與所述有機(jī)發(fā)光層相連，在所述發(fā)光區(qū)，所述像素電極層與所述第一透明電極層之間形成耦合電容。

7.如權(quán)利要求6所述的OLED顯示面板的制備方法，其特征在于，所述在所述遮光金屬層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)制備TFT結(jié)構(gòu)層的步驟包括：

在所述遮光金屬層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)制備有源層；

在所述有源層之上制備柵絕緣層；

在所述柵絕緣層之上制備柵極；

在所述柵極之上制備層間絕緣層；

在所述層間絕緣層之上制備源極和漏極；

在所述源極和所述漏極之上制備鈍化層；

在所述鈍化層之上制備平坦化層；以及

在所述發(fā)光區(qū)，將所述平坦化層、所述鈍化層、以及部分所述層間絕緣層刻蝕形成第一凹槽，其中，所述發(fā)光區(qū)內(nèi)的所述像素電極層位于所述第一凹槽內(nèi)側(cè)。

8.如權(quán)利要求7所述的OLED顯示面板的制備方法，其特征在于，對(duì)應(yīng)所述第一凹槽內(nèi)側(cè)的所述像素電極形成第二凹槽，所述有機(jī)發(fā)光層位于所述第二凹槽內(nèi)。

9.如權(quán)利要求8所述的OLED顯示面板的制備方法，其特征在于，所述第一凹槽的寬度大于所述有機(jī)發(fā)光層的寬度。

10.如權(quán)利要求6所述的OLED顯示面板的制備方法，其特征在于，所述第一透明電極層的材料包括導(dǎo)體化的銦鎵鋅氧化物、銦鋅錫氧化物、或銦鎵鋅錫氧化物。