[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011216944.4
• 申請日: 2020-11-04
• 公開（公告）號: CN112331651B
• 公開（公告）日: 2022-05-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 顏逸飛;馮立偉
• 申請（專利權(quán)）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 上海思捷知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31295
• 代理人: 王宏婧

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

一襯底，所述襯底中形成有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)及沿第一預(yù)定方向延伸的有源區(qū)，所述有源區(qū)的底部位于所述襯底的第一設(shè)定深度位置，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)用于分隔所述有源區(qū)；

多條字線結(jié)構(gòu)，位于所述襯底中，且沿著第二預(yù)定方向延伸以穿過相應(yīng)的有源區(qū)，所述字線結(jié)構(gòu)的底部位于所述襯底的第二設(shè)定深度位置，所述第二設(shè)定深度位置低于所述第一設(shè)定深度位置；以及，

多個輔助摻雜區(qū)，位于所述襯底中并圍繞對應(yīng)的字線結(jié)構(gòu)，每個所述輔助摻雜區(qū)均位于所述第一設(shè)定深度位置及所述第二設(shè)定深度位置之間。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述輔助摻雜區(qū)的頂部與對應(yīng)的字線結(jié)構(gòu)之間的間距小于其底部與對應(yīng)的字線結(jié)構(gòu)之間的間距。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述輔助摻雜區(qū)的摻雜濃度高于所述有源區(qū)的摻雜濃度。

4.如權(quán)利要求1或3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述輔助摻雜區(qū)的摻雜類型與所述有源區(qū)的摻雜類型相同。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述襯底中具有多個字線溝槽，所述字線結(jié)構(gòu)位于對應(yīng)的字線溝槽中，所述字線結(jié)構(gòu)包括柵氧化層、柵導(dǎo)電層及兩個柵介質(zhì)層，所述柵氧化層覆蓋所述字線溝槽的內(nèi)壁，所述柵導(dǎo)電層位于所述柵氧化層上并填充所述字線溝槽的部分深度，兩個所述柵介質(zhì)層堆疊后覆蓋所述柵導(dǎo)電層并填充所述字線溝槽的剩余深度。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，兩個所述柵介質(zhì)層分別為第一柵介質(zhì)層及第二柵介質(zhì)層，所述第一柵介質(zhì)層較所述第二柵介質(zhì)層更靠近所述柵導(dǎo)電層，所述柵導(dǎo)電層與所述第一柵介質(zhì)層之間還具有一功函數(shù)調(diào)整層。

7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，兩個所述柵介質(zhì)層分別為第一柵介質(zhì)層及第二柵介質(zhì)層，所述第一柵介質(zhì)層較所述第二柵介質(zhì)層更靠近所述柵導(dǎo)電層，所述第一柵介質(zhì)層與所述第二柵介質(zhì)層之間還具有一功函數(shù)調(diào)整層。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述字線結(jié)構(gòu)還包括字線側(cè)墻，所述字線側(cè)墻包裹所述第二柵介質(zhì)層及所述功函數(shù)調(diào)整層的側(cè)壁。

9.如權(quán)利要求6-8中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述功函數(shù)調(diào)整層的材料為多晶硅或非晶硅。

10.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，兩個所述柵介質(zhì)層的材料均為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一種或多種。

11.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底中形成有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)及沿第一預(yù)定方向延伸的有源區(qū)，所述有源區(qū)的底部位于所述襯底的第一設(shè)定深度位置，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)用于分隔所述有源區(qū)；以及，

形成多條字線結(jié)構(gòu)及多個輔助摻雜區(qū)于所述襯底中，所述字線結(jié)構(gòu)沿著第二預(yù)定方向延伸以穿過相應(yīng)的有源區(qū)，所述字線結(jié)構(gòu)的底部位于所述襯底的第二設(shè)定深度位置，所述第二設(shè)定深度位置低于所述第一設(shè)定深度位置，所述輔助摻雜區(qū)圍繞對應(yīng)的字線結(jié)構(gòu)且均位于所述第一設(shè)定深度位置及所述第二設(shè)定深度位置之間。

12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，形成所述字線結(jié)構(gòu)以及所述輔助摻雜區(qū)的步驟包括：

刻蝕所述襯底至所述第二設(shè)定深度位置，以形成字線溝槽；

順次在所述字線溝槽內(nèi)形成柵氧化層、柵導(dǎo)電層及第二柵介質(zhì)層，所述柵氧化層覆蓋所述字線溝槽的內(nèi)壁，所述柵導(dǎo)電層位于所述柵氧化層上并填充所述字線溝槽的部分深度，所述第二柵介質(zhì)層位于所述柵導(dǎo)電層上并填充所述字線溝槽的剩余深度；以及，

對所述襯底執(zhí)行傾斜離子注入工藝，以形成所述輔助摻雜區(qū)。