[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置封裝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011215794.5
• 申請日: 2020-11-04
• 公開（公告）號: CN112786572A
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 詹雅芳;蔣源峰
• 申請（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/31;H01L23/498
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

半導(dǎo)體裝置封裝包含重新分布層、多個(gè)導(dǎo)電柱、增強(qiáng)層及包封物。所述導(dǎo)電柱與所述第一重新分布層直接接觸。所述增強(qiáng)層圍繞所述導(dǎo)電柱的側(cè)表面。所述包封物包封所述第一重新分布層及所述增強(qiáng)層。所述導(dǎo)電柱通過所述增強(qiáng)層彼此分隔開。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種半導(dǎo)體裝置封裝，且更確切地說，涉及一種具有多個(gè)導(dǎo)電柱的封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

在三維集成電路的扇出疊層封裝(Package-on-Package)技術(shù)中，硅通孔或銅柱通常用作堆疊封裝的電氣通道。然而，制造硅通孔或銅柱的成本很高。此外，銅柱的高度可能由于制造工藝而彼此不同，并且高度差可高達(dá)30μm或更多。因此，堆疊封裝之間可能存在短路故障。

發(fā)明內(nèi)容

在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置封裝包含第一重新分布層、多個(gè)導(dǎo)電柱、增強(qiáng)層及包封物。所述第一重新分布層具有第一表面，并且所述導(dǎo)電柱與所述第一重新分布層的所述第一表面直接接觸。所述增強(qiáng)層圍繞所述導(dǎo)電柱的側(cè)表面。所述包封物包封所述增強(qiáng)層并且與所述第一重新分布層的所述第一表面接觸。所述導(dǎo)電柱通過所述增強(qiáng)層彼此分隔開。

在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置封裝包含電連接構(gòu)件、第一電子組件、包封物及第一重新分布層。所述電連接構(gòu)件包含增強(qiáng)層及穿過所述增強(qiáng)層的多個(gè)導(dǎo)電柱。所述包封物包封所述第一電子組件及所述電連接構(gòu)件。所述第一重新分布層安置于所述包封物的頂部表面上并且電連接到所述導(dǎo)電柱中的至少一者。所述導(dǎo)電柱的底部表面與所述增強(qiáng)層的底部表面及所述包封物的底部表面共面。

在一些實(shí)施例中，制造半導(dǎo)體裝置封裝的方法包含制造電連接構(gòu)件。所述電連接構(gòu)件通過以下步驟制造：提供第一載體，其中第一導(dǎo)電層安置于所述第一載體的表面上；在所述第一導(dǎo)電層上形成多個(gè)第一導(dǎo)電柱；在所述第一導(dǎo)電層上提供介電材料，其中所述介電材料填充在所述第一導(dǎo)電柱之間；及移除所述第一載體。

附圖說明

圖1說明根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置封裝的截面圖。

圖2說明根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置封裝的截面圖。

圖3說明根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置封裝的截面圖。

圖4說明根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置封裝的截面圖。

圖5說明根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置封裝的截面圖。

圖6說明根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置封裝的截面圖。

圖7A、7B、7C、7D、7E及7F說明根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的制造電連接構(gòu)件的方法的一或多個(gè)階段。

圖8A、8B、8C、8D、8E、8F、8G、8H、8I及8J說明根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的制造電連接構(gòu)件的方法的一或多個(gè)階段。

圖9A、9B、9C、9D、9E、9F、9G、9H、9I及9J說明根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的制造半導(dǎo)體裝置封裝的方法的一或多個(gè)階段。

圖10A、10B、10C、10D、10E、10F、10G、10H、10I及10J說明根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的制造半導(dǎo)體裝置封裝的方法的一或多個(gè)階段。

貫穿圖式及詳細(xì)描述使用共同參考標(biāo)號來指示相同或相似組件。據(jù)以下實(shí)施方式結(jié)合隨附圖式，將更容易理解本公開的內(nèi)容。

具體實(shí)施方式

出于進(jìn)一步解釋本公開的范圍的目的，上述說明及以下詳細(xì)描述為示范性的。將在后續(xù)描述及附圖中說明與本公開有關(guān)的其它目標(biāo)及優(yōu)點(diǎn)。