[發(fā)明專利]蝕刻方法及等離子體處理裝置

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011215778.6
• 申請(qǐng)日: 2020-11-04
• 公開（公告）號(hào): CN112786440A
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 橫山喬大;戶村幕樹;木原嘉英;須田隆太郎;大類貴俊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/3065
• 分類號(hào): H01L21/3065;H01J37/32
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 白麗

1.一種蝕刻方法，其包括：

在等離子體處理裝置的腔室內(nèi)準(zhǔn)備基板的工序，其中，該基板包括含硅膜；及

通過(guò)來(lái)自在所述腔室內(nèi)由處理氣體形成的等離子體的化學(xué)物種來(lái)對(duì)所述含硅膜進(jìn)行蝕刻的工序，其中，所述處理氣體包含鹵素元素及磷。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其還包括在對(duì)通過(guò)所述蝕刻而形成的開口進(jìn)行劃分的側(cè)壁面上形成保護(hù)膜的工序，所述保護(hù)膜包含所述處理氣體中所包含的磷。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的蝕刻方法，其中，進(jìn)行蝕刻的所述工序與形成保護(hù)膜的所述工序同時(shí)進(jìn)行。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的蝕刻方法，其中，所述處理氣體包含PF₃、PCl₃、PF₅，PCl₅，POCl₃、PH₃、PBr₃或PBr₅中的至少一個(gè)作為包含所述磷的分子。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的蝕刻方法，其中，所述處理氣體還包含碳及氫。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的蝕刻方法，其中，所述處理氣體包含H₂、HF、C_xH_y、CH_xF_y或NH₃中的至少一個(gè)作為包含所述氫的分子，其中，x及y分別為自然數(shù)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的蝕刻方法，其中，所述鹵素元素為氟。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的蝕刻方法，其中，所述處理氣體還包含氧。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的蝕刻方法，其中，所述含硅膜為含硅介電體膜。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的蝕刻方法，其中，所述含硅膜包括硅氧化膜、硅氮化膜或硅膜中的至少一個(gè)膜。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的蝕刻方法，其中，所述含硅膜包括具有彼此不同的膜種類的兩個(gè)以上的含硅膜。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的蝕刻方法，其中，所述兩個(gè)以上的含硅膜包括硅氧化膜及硅氮化膜。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的蝕刻方法，其中，所述處理氣體包含作為所述磷的來(lái)源的含磷氣體，

在對(duì)所述含硅膜進(jìn)行蝕刻的所述工序中，通過(guò)設(shè)定所述含磷氣體的流量與所述處理氣體的總流量的比例來(lái)設(shè)定所述硅氧化膜和所述硅氮化膜交替的層疊膜的蝕刻速率與所述硅氧化膜的蝕刻速率之比。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的蝕刻方法，其中，以所述層疊膜的蝕刻速率與所述硅氧化膜的蝕刻速率的所述比成為0.8以上且1.2以下的方式設(shè)定所述含磷氣體的流量與所述處理氣體的總流量的所述比例。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的蝕刻方法，其中，所述兩個(gè)以上的含硅膜包括硅氧化膜及硅膜。

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的蝕刻方法，其中，所述兩個(gè)以上的含硅膜包括硅氧化膜、硅氮化膜及硅膜。

17.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的蝕刻方法，其中，所述含硅膜具有單層膜及多層膜，

在進(jìn)行蝕刻的所述工序中，對(duì)所述單層膜及所述多層膜同時(shí)進(jìn)行蝕刻。