[發明專利]一種在線低輻射鍍膜玻璃及其制備方法

有效

• 申請號: 202011215581.2
• 申請日: 2020-11-04
• 公開（公告）號: CN112321171B
• 公開（公告）日: 2022-09-02
• 發明（設計）人: 劉起英;孔繁華;王道德;葉志會;趙年偉;曹涯雁;應益明;史國華;張永杰;房振華;袁曙光;連超;王定權;邱姍姍;李成養
• 申請（專利權）人: 威海中玻新材料技術研發有限公司
• 主分類號: C03C17/34
• 分類號: C03C17/34
• 代理公司: 北京怡豐知識產權代理有限公司 11293
• 代理人: 于振強

1.一種在線低輻射鍍膜玻璃，其結構包括玻璃基體和膜層，其特征是，所述膜層設有離子抑制層、光學調制層和低輻射功能層，所述離子抑制層成分是氮化硅，所述光學調制層成分為氧化硅，所述低輻射功能層成分為陰離子和陽離子共同摻雜的氧化錫，所述氧化錫以（200）晶面為主取向，載流子濃度≥4×10²⁰cm^-3，以所述氧化錫為低輻射功能層的低輻射鍍膜玻璃的輻射率≤0.13；

所述離子抑制層采用如下步驟制備：以硅烷、氨氣的混合氣體為鍍膜前驅體，以氮氣為載氣，經反應器通入浮法玻璃生產線的錫槽內溫度750～800℃的區域，在移動的玻璃帶上通過化學氣相沉積形成氮化硅膜層，鍍膜前驅體摩爾比例為：硅烷0.5～2%，氨氣5～20%，其余為氮氣；

所述光學調制層采用如下步驟制備：以硅烷、氧化劑、惰性載氣形成的混合氣體為鍍膜前驅體，經反應器通入浮法玻璃生產線的錫槽內溫度640～700℃的區域，噴射在移動的已鍍有離子抑制層的玻璃帶上，通過化學氣相沉積形成氧化硅膜，氧化劑是二氧化碳或氧化二氮，惰性載氣是氮氣或氬氣，鍍膜前驅體摩爾比例為：硅烷0.5～5%，氧化劑5～20%，其余為載氣；

所述低輻射功能層采用如下步驟制備：以汽化的含錫有機化合物、陰離子摻雜劑、陽離子摻雜劑、催化劑為鍍膜前驅體，以空氣為載氣，經線性多通道反應器，進入浮法玻璃生產線的退火窯A0區550～600℃區域，均勻噴射在已經鍍有離子抑制層和光學調制層的玻璃帶上，通過化學氣相沉積形成陰離子和陽離子共同摻雜的氧化錫膜。

2.根據權利要求1所述的在線低輻射鍍膜玻璃，其特征在于所述離子抑制層膜層是在浮法玻璃生產線錫槽內移動的玻璃帶上，通過化學氣相沉積鍍制的，厚度20～30nm。

3.根據權利要求1所述的在線低輻射鍍膜玻璃，其特征在于所述光學調制層是在浮法玻璃生產線錫槽內已鍍有所述離子抑制層的移動的玻璃帶上，通過化學氣相沉積的方法鍍制的，厚度30～80nm，膜層折射率1.55～1.75。

4.根據權利要求1所述的在線低輻射鍍膜玻璃，其特征在于所述低輻射功能層是在浮法玻璃生產線退火窯A0區內已鍍有所述離子抑制層和光學調制層的移動的玻璃帶上通過化學氣相沉積的方法鍍制的，摻雜的陰離子為氟元素，摻雜的陽離子為鈮元素或銻元素，以（200）晶面為主取向，載流子濃度4×10²⁰cm^-3，膜層折射率為1.80～1.95，厚度為400～600nm。

5.如權利要求1所述的在線低輻射鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于所述離子抑制層的制備，包括如下步驟：以硅烷、氨氣的混合氣體為鍍膜前驅體，以氮氣為載氣，經反應器通入浮法玻璃生產線的錫槽內溫度750～800℃的區域，在移動的玻璃帶上通過化學氣相沉積形成氮化硅膜層，鍍膜前驅體摩爾比例為：硅烷0.5～2%，氨氣5～20%，其余為氮氣；

所述光學調制層的制備，包括如下步驟：以硅烷、氧化劑、惰性載氣形成的混合氣體為鍍膜前驅體，經反應器通入浮法玻璃生產線的錫槽內溫度640～700℃的區域，噴射在移動的已鍍有離子抑制層的玻璃帶上，通過化學氣相沉積形成氧化硅膜，氧化劑是二氧化碳或氧化二氮，惰性載氣是氮氣或氬氣，鍍膜前驅體摩爾比例為：硅烷0.5～5%，氧化劑5～20%，其余為載氣；

所述低輻射功能層的制備，包括如下步驟：以汽化的含錫有機化合物、陰離子摻雜劑、陽離子摻雜劑、催化劑為鍍膜前驅體，以空氣為載氣，經線性多通道反應器，進入浮法玻璃生產線的退火窯A0區550～600℃區域，均勻噴射在已經鍍有離子抑制層和光學調制層的玻璃帶上，通過化學氣相沉積形成陰離子和陽離子共同摻雜的氧化錫膜。

6.根據權利要求5所述的在線低輻射鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，所述鍍膜前驅體摩爾比例為：含錫有機化合物0.5～5%，陰離子摻雜劑0.005～0.05%，陽離子摻雜劑0.0015～0.015%，催化劑0.5～5%，其余為空氣。

7.根據權利要求5所述的在線低輻射鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，所述含錫有機化合物是四氯化錫、單甲基三氯化錫、單丁基三氯化錫、二甲基二氯化錫、三甲基氯化錫或四甲基錫，所述陰離子摻雜劑是氫氟酸或三氟乙酸，所述陽離子摻雜劑是乙醇鈮或三氯化銻，所述催化劑是乙醇、甲醇或水。