[發(fā)明專(zhuān)利]一種在線(xiàn)低輻射鍍膜玻璃及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011215581.2
• 申請(qǐng)日: 2020-11-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112321171B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-09-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉起英;孔繁華;王道德;葉志會(huì);趙年偉;曹涯雁;應(yīng)益明;史國(guó)華;張永杰;房振華;袁曙光;連超;王定權(quán);邱姍姍;李成養(yǎng)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 威海中玻新材料技術(shù)研發(fā)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C03C17/34
• 分類(lèi)號(hào): C03C17/34
• 代理公司: 北京怡豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11293
• 代理人: 于振強(qiáng)

1.一種在線(xiàn)低輻射鍍膜玻璃，其結(jié)構(gòu)包括玻璃基體和膜層，其特征是，所述膜層設(shè)有離子抑制層、光學(xué)調(diào)制層和低輻射功能層，所述離子抑制層成分是氮化硅，所述光學(xué)調(diào)制層成分為氧化硅，所述低輻射功能層成分為陰離子和陽(yáng)離子共同摻雜的氧化錫，所述氧化錫以（200）晶面為主取向，載流子濃度≥4×10²⁰cm^-3，以所述氧化錫為低輻射功能層的低輻射鍍膜玻璃的輻射率≤0.13；

所述離子抑制層采用如下步驟制備：以硅烷、氨氣的混合氣體為鍍膜前驅(qū)體，以氮?dú)鉃檩d氣，經(jīng)反應(yīng)器通入浮法玻璃生產(chǎn)線(xiàn)的錫槽內(nèi)溫度750～800℃的區(qū)域，在移動(dòng)的玻璃帶上通過(guò)化學(xué)氣相沉積形成氮化硅膜層，鍍膜前驅(qū)體摩爾比例為：硅烷0.5～2%，氨氣5～20%，其余為氮?dú)猓?/p>

所述光學(xué)調(diào)制層采用如下步驟制備：以硅烷、氧化劑、惰性載氣形成的混合氣體為鍍膜前驅(qū)體，經(jīng)反應(yīng)器通入浮法玻璃生產(chǎn)線(xiàn)的錫槽內(nèi)溫度640～700℃的區(qū)域，噴射在移動(dòng)的已鍍有離子抑制層的玻璃帶上，通過(guò)化學(xué)氣相沉積形成氧化硅膜，氧化劑是二氧化碳或氧化二氮，惰性載氣是氮?dú)饣驓鍤猓兡で膀?qū)體摩爾比例為：硅烷0.5～5%，氧化劑5～20%，其余為載氣；

所述低輻射功能層采用如下步驟制備：以汽化的含錫有機(jī)化合物、陰離子摻雜劑、陽(yáng)離子摻雜劑、催化劑為鍍膜前驅(qū)體，以空氣為載氣，經(jīng)線(xiàn)性多通道反應(yīng)器，進(jìn)入浮法玻璃生產(chǎn)線(xiàn)的退火窯A0區(qū)550～600℃區(qū)域，均勻噴射在已經(jīng)鍍有離子抑制層和光學(xué)調(diào)制層的玻璃帶上，通過(guò)化學(xué)氣相沉積形成陰離子和陽(yáng)離子共同摻雜的氧化錫膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在線(xiàn)低輻射鍍膜玻璃，其特征在于所述離子抑制層膜層是在浮法玻璃生產(chǎn)線(xiàn)錫槽內(nèi)移動(dòng)的玻璃帶上，通過(guò)化學(xué)氣相沉積鍍制的，厚度20～30nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在線(xiàn)低輻射鍍膜玻璃，其特征在于所述光學(xué)調(diào)制層是在浮法玻璃生產(chǎn)線(xiàn)錫槽內(nèi)已鍍有所述離子抑制層的移動(dòng)的玻璃帶上，通過(guò)化學(xué)氣相沉積的方法鍍制的，厚度30～80nm，膜層折射率1.55～1.75。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在線(xiàn)低輻射鍍膜玻璃，其特征在于所述低輻射功能層是在浮法玻璃生產(chǎn)線(xiàn)退火窯A0區(qū)內(nèi)已鍍有所述離子抑制層和光學(xué)調(diào)制層的移動(dòng)的玻璃帶上通過(guò)化學(xué)氣相沉積的方法鍍制的，摻雜的陰離子為氟元素，摻雜的陽(yáng)離子為鈮元素或銻元素，以（200）晶面為主取向，載流子濃度4×10²⁰cm^-3，膜層折射率為1.80～1.95，厚度為400～600nm。

5.如權(quán)利要求1所述的在線(xiàn)低輻射鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于所述離子抑制層的制備，包括如下步驟：以硅烷、氨氣的混合氣體為鍍膜前驅(qū)體，以氮?dú)鉃檩d氣，經(jīng)反應(yīng)器通入浮法玻璃生產(chǎn)線(xiàn)的錫槽內(nèi)溫度750～800℃的區(qū)域，在移動(dòng)的玻璃帶上通過(guò)化學(xué)氣相沉積形成氮化硅膜層，鍍膜前驅(qū)體摩爾比例為：硅烷0.5～2%，氨氣5～20%，其余為氮?dú)猓?/p>

所述光學(xué)調(diào)制層的制備，包括如下步驟：以硅烷、氧化劑、惰性載氣形成的混合氣體為鍍膜前驅(qū)體，經(jīng)反應(yīng)器通入浮法玻璃生產(chǎn)線(xiàn)的錫槽內(nèi)溫度640～700℃的區(qū)域，噴射在移動(dòng)的已鍍有離子抑制層的玻璃帶上，通過(guò)化學(xué)氣相沉積形成氧化硅膜，氧化劑是二氧化碳或氧化二氮，惰性載氣是氮?dú)饣驓鍤猓兡で膀?qū)體摩爾比例為：硅烷0.5～5%，氧化劑5～20%，其余為載氣；

所述低輻射功能層的制備，包括如下步驟：以汽化的含錫有機(jī)化合物、陰離子摻雜劑、陽(yáng)離子摻雜劑、催化劑為鍍膜前驅(qū)體，以空氣為載氣，經(jīng)線(xiàn)性多通道反應(yīng)器，進(jìn)入浮法玻璃生產(chǎn)線(xiàn)的退火窯A0區(qū)550～600℃區(qū)域，均勻噴射在已經(jīng)鍍有離子抑制層和光學(xué)調(diào)制層的玻璃帶上，通過(guò)化學(xué)氣相沉積形成陰離子和陽(yáng)離子共同摻雜的氧化錫膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的在線(xiàn)低輻射鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，所述鍍膜前驅(qū)體摩爾比例為：含錫有機(jī)化合物0.5～5%，陰離子摻雜劑0.005～0.05%，陽(yáng)離子摻雜劑0.0015～0.015%，催化劑0.5～5%，其余為空氣。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的在線(xiàn)低輻射鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，所述含錫有機(jī)化合物是四氯化錫、單甲基三氯化錫、單丁基三氯化錫、二甲基二氯化錫、三甲基氯化錫或四甲基錫，所述陰離子摻雜劑是氫氟酸或三氟乙酸，所述陽(yáng)離子摻雜劑是乙醇鈮或三氯化銻，所述催化劑是乙醇、甲醇或水。