[發明專利]晶圓制造方法及其制成的光學生物識別模組和電子設備

在審

• 申請號: 202011215570.4
• 申請日: 2020-11-04
• 公開（公告）號: CN112232277A
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發明（設計）人: 姜桐;黃昊;姜洪霖;楊成龍
• 申請（專利權）人: 上海菲戈恩微電子科技有限公司
• 主分類號: G06K9/00
• 分類號: G06K9/00;G03F9/00
• 代理公司: 成都蓉創智匯知識產權代理有限公司 51276
• 代理人: 趙雷

1.一種晶圓制造方法，該方法包括光闌的制造方法，該光闌的制造方法包括以下步驟：

S1：取芯片基體；

S2：在芯片基體上形成對準標記；

S3：在芯片基體和對準標記上覆蓋一層黑色光刻膠薄膜層，該黑色光刻膠薄膜層可同時截止可見光和紅外光；

S4：基于對準標記進行光闌圖形對準；

S5：曝光顯影；

S6：形成帶光闌圖形的光闌層。

2.根據權利要求1所述的晶圓制造方法，其特征在于：所述S3中，覆蓋為涂布的方式覆蓋或覆蓋為旋轉涂膠的方式覆蓋。

3.根據權利要求1或2任一所述的晶圓制造方法，其特征在于：所述S2中，在芯片基體上形成的對準標記的頂面高于芯片基體的頂面，S4基于對準標記進行光闌圖形對準是基于對準標記處的起伏形貌進行對準。

4.根據權利要求3所述的晶圓制造方法，其特征在于：所述S2中，在芯片基體上形成對準標記是通過在芯片基體覆蓋一層光刻膠，利于光刻工藝形成的對準標記。

5.根據權利要求4所述的晶圓制造方法，其特征在于：所述覆蓋為涂布的方式覆蓋或覆蓋為旋轉涂膠的方式覆蓋。

6.根據權利要求1-5任一所述的晶圓制造方法，其特征在于：所述黑色的薄膜采用可同時截止可見光和紅外光的材料制成的；可選地，所述黑色光刻膠薄膜層采用的材料在形成的膜厚≥1um時，780nm-1000nm透過濾小于0.5％。

7.一種芯片，其特征在于，包括：

芯片基體；以及光闌層，設置在芯片基體上，由若干光闌組成，每一光闌能同時截止可見光和紅外光。

8.根據權利要求7所述的芯片，其特征在于：所述芯片還包括位于光闌層外的對準標記，該對準標記為高于芯片基體頂面的光刻膠光柵凸塊。

9.一種光學生物識別模組，其特征在于：所述光學生物識別模組包括權利要求7或8任一所述的芯片。

10.一種電子設備，其特征在于：所述電子設備包括權利要求9所述的光學生物識別模組。