[發明專利]一種輸氣管道、半導體機臺有效
| 申請號: | 202011215138.5 | 申請日: | 2020-11-04 |
| 公開(公告)號: | CN112349631B | 公開(公告)日: | 2021-09-10 |
| 發明(設計)人: | 白靖宇 | 申請(專利權)人: | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 楊麗爽 |
| 地址: | 430074 湖北省武漢*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 輸氣管道 半導體 機臺 | ||
1.一種輸氣管道,其特征在于,包括:進氣管和出氣管,
所述出氣管在第一方向上分為至少兩個出氣區域,所述第一方向為所述出氣管的延伸方向;每個所述出氣區域分別與所述進氣管連接;
每個所述出氣區域的管壁上均設置有多個出氣口;
所述進氣管用于氣體的輸入,所述出氣區域的管壁上的多個出氣口用于氣體的輸出。
2.根據權利要求1所述的輸氣管道,其特征在于,所述進氣管的數量為多個,
所述出氣管在第二方向上分為至少兩個分區,所述第二方向為垂直于所述第一方向的方向,每個所述分區分別與所述進氣管連接。
3.根據權利要求2所述的輸氣管道,其特征在于,所述出氣管在所述第一方向上分為五個出氣區域,所述出氣管在所述第二方向上分為四個分區。
4.根據權利要求2所述的輸氣管道,其特征在于,每個所述出氣區域通過第一隔板隔開,每個所述分區通過第二隔板隔開。
5.根據權利要求2所述的輸氣管道,其特征在于,每個所述進氣管輸送的氣體不同。
6.根據權利要求1所述的輸氣管道,其特征在于,所述進氣管包括:
主進氣管和多個支進氣管;
每個所述支進氣管分別和每個所述出氣區域相連;
一個所述支進氣管對應一個所述出氣區域。
7.根據權利要求1所述的輸氣管道,其特征在于,每個所述出氣區域與所述進氣管之間均設置有流量閥和流量計,以控制所述出氣區域中的氣體流量。
8.根據權利要求2所述的輸氣管道,其特征在于,每個所述出氣區域的每個所述分區與所述進氣管之間均設置有流量閥和流量計,以分別控制每個所述出氣區域中每個所述分區內的氣體流量。
9.一種半導體機臺,其特征在于,包括:
如權利要求1-8任意一項所述的輸氣管道;
反應腔體,所述輸氣管道位于所述反應腔體內;
所述反應腔體內設置有晶圓承載裝置,所述晶圓承載裝置用于承載晶圓。
10.根據權利要求9所述的機臺,其特征在于,所述反應腔體包括多個腔體區域,每個所述腔體區域具有對應的所述出氣區域;
每個所述出氣區域的氣體流量是根據所述腔體區域的參數確定的,所述參數包括:溫度、壓強、流速和/或氣體含量。
11.根據權利要求9所述的機臺,其特征在于,所述進氣管位于所述反應腔體的底部,所述出氣管設置于所述反應腔體頂部。
12.根據權利要求10所述的機臺,其特征在于,所述晶圓承載裝置的數量為多個,所述晶圓承載裝置分別放置于所述腔體區域內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





