[發明專利]基片處理方法和基片處理裝置

在審

• 申請號: 202011214947.4
• 申請日: 2020-11-04
• 公開（公告）號: CN112802737A
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發明（設計）人: 熊谷圭惠;久松亨;本田昌伸
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;H01L21/3065;H01J37/32
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

1.一種基片處理方法，其特征在于，包括：

a)在腔室內將在正面形成有圖案的基片暴露于第一反應種，使所述第一反應種吸附在所述基片的正面的工序；

b)在所述腔室內，將所述基片暴露于由第二反應種形成的等離子體，在所述基片的正面形成膜的工序；和

c)將包含所述a)和所述b)的處理以改變所述b)開始時的第一反應種的滯留量的方式反復執行兩次以上的工序。

2.如權利要求1所述的基片處理方法，其特征在于：

在所述a)中，通過控制導入到所述腔室內的所述第一反應種的量，來改變所述b)開始時的所述第一反應種的滯留量。

3.如權利要求1或2所述的基片處理方法，其特征在于：

在所述a)中，通過控制導入到所述腔室內的所述第一反應種的稀釋度，來改變所述b)開始時的所述第一反應種的滯留量。

4.如權利要求1～3中任一項所述的基片處理方法，其特征在于：

所述a)包括：

a1)將所述第一反應種導入到所述腔室內的工序；和

a2)從所述腔室清除所述第一反應種的至少一部分的工序。

5.如權利要求4所述的基片處理方法，其特征在于：

通過控制在所述a2)中清除的所述第一反應種的量，來改變所述b)開始時的所述第一反應種的滯留量。

6.如權利要求5所述的基片處理方法，其特征在于：

通過改變所述腔室內的壓力、處理時間、清除氣體的流量中的至少一者使在所述a2)中清除的所述第一反應種的量變化，來改變所述b)開始時的所述第一反應種的滯留量。

7.如權利要求1～6中任一項所述的基片處理方法，其特征在于：

在所述基片的正面的反應飽和之前，結束所述a)或所述b)。

8.如權利要求1～6中任一項所述的基片處理方法，其特征在于：

控制所述b)開始時的第一反應種的滯留量，使得在所述圖案的上部形成的膜的厚度比在所述圖案的下部形成的膜的厚度厚。

9.如權利要求1～6中任一項所述的基片處理方法，其特征在于：

控制所述b)開始時的第一反應種的滯留量，使得在所述圖案的上部形成的膜的厚度接近在所述圖案的下部形成的膜的厚度。

10.如權利要求1～9中任一項所述的基片處理方法，其特征在于：

還包括d)將通過所述c)形成的膜作為掩模對所述基片進行蝕刻的工序。

11.如權利要求10所述的基片處理方法，其特征在于：

還包括e)將包含所述c)和所述d)的處理反復執行兩次以上的工序。

12.如權利要求1～11中任一項所述的基片處理方法，其特征在于，還包括：

在執行所述a)之前測量表示所述基片的正面的所述圖案的形狀的值的工序；和

基于測量出的值選擇處理條件的工序，

在所選擇的所述處理條件下執行所述a)、所述b)和所述c)。

13.如權利要求12所述的基片處理方法，其特征在于，還包括：

在將所述c)執行了規定次數后，測量表示所述基片的正面的所述圖案的形狀的值的工序；和

基于執行所述a)之前測量出的值與將所述c)執行了規定次數后測量出的值之差，選擇接下來要執行的處理的處理條件的工序。