[發明專利]一種柔性OLED器件結構及其制造方法

在審

• 申請號: 202011214893.1
• 申請日: 2020-11-04
• 公開（公告）號: CN112331803A
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發明（設計）人: 溫質康;林佳龍;喬小平
• 申請（專利權）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 福州市博深專利事務所(普通合伙) 35214
• 代理人: 張明

1.一種柔性OLED器件結構，其特征在于，包括玻璃基板和切割隔離柱，所述玻璃基板的一側面上依次層疊設有聚酰亞胺薄膜層、隔離層、TFT器件層、OLED器件層和TFE封裝層，所述切割隔離柱的一端依次穿過TFE封裝層、OLED器件層和TFT器件層與隔離層接觸，與所述切割隔離柱的一端相對的另一端伸至TFE封裝層外部。

2.根據權利要求1所述的柔性OLED器件結構，其特征在于，所述切割隔離柱的厚度范圍為6μm-10μm，所述切割隔離柱的寬度范圍為0.02μm-0.04μm。

3.根據權利要求1所述的柔性OLED器件結構，其特征在于，所述隔離層的厚度范圍為0.01μm-0.02μm。

4.根據權利要求1所述的柔性OLED器件結構，其特征在于，所述隔離層的材質為金屬單質或金屬氧化物。

5.根據權利要求1所述的柔性OLED器件結構，其特征在于，所述聚酰亞胺薄膜層的厚度為2μm-4μm。

6.一種根據權利要求1所述的柔性OLED器件結構的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1、提供一玻璃基板，且在所述玻璃基板表面覆蓋有聚酰亞胺薄膜層；

步驟S2、形成隔離層，且覆蓋于所述聚酰亞胺薄膜層表面；

步驟S3、形成切割隔離柱，且設置于所述隔離層表面；

步驟S4、形成TFT器件層，且覆蓋于所述隔離層表面；

步驟S5、形成OLED器件層，且覆蓋于所述TFT器件層表面；

步驟S6、形成TFE封裝層，且覆蓋于所述OLED器件層表面。

7.根據權利要求6所述的柔性OLED器件結構的制造方法，其特征在于，所述切割隔離柱的厚度范圍為6μm-10μm，所述切割隔離柱的寬度范圍為0.02μm-0.04μm。

8.根據權利要求6所述的柔性OLED器件結構的制造方法，其特征在于，所述隔離層的厚度范圍為0.01μm-0.02μm。

9.根據權利要求6所述的柔性OLED器件結構的制造方法，其特征在于，所述隔離層的材質為金屬單質或金屬氧化物。

10.根據權利要求6所述的柔性OLED器件結構的制造方法，其特征在于，所述聚酰亞胺薄膜層的厚度為2μm-4μm。