[發明專利]一種用于鍍金印刷電路板的導線蝕刻方法

有效

• 申請號: 202011214852.2
• 申請日: 2020-11-03
• 公開（公告）號: CN112384005B
• 公開（公告）日: 2022-04-29
• 發明（設計）人: 何家添;吉祥書;關志峰
• 申請（專利權）人: 珠海杰賽科技有限公司;廣州杰賽科技股份有限公司
• 主分類號: H05K3/00
• 分類號: H05K3/00;H05K3/18
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 盧澤明;李宇亮

1.一種用于鍍金電路板的導線蝕刻方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1，一次外光成像，于電路板表面進行一次貼干膜后撕離保護膜，進行鍍金導線與鍍金區域的成像；

S2，二次貼干膜，于電路板進行二次貼干膜后進行二次外光成像以暴露鍍金區域，貼膜溫度為110℃-120℃，貼膜壓力為0.4-0.6MPa，所述一次貼干膜與所述二次貼干膜提供充足膠量以填充線路間隙；

S3，鍍金，利用鍍金導線對鍍金區域進行鍍金，依次進行酸洗、熱水洗、純水洗、微蝕、純水洗、鍍厚金、金回收、純水洗、烘板；

S4，去除鍍金導線的干膜，通過堿性蝕刻以去除鍍金導線上的干膜，依次進行入板、膨松、褪膜、水洗、強風吹干、出板；

S5，蝕刻鍍金導線，通過堿性蝕刻以去除鍍金導線，依次進行入板、蝕刻、氨水洗、水洗、強風吹干、熱風風干、出板，進行所述蝕刻的蝕刻槽中的銅離子的濃度為135g/L-155g/L，所述蝕刻槽中的氯離子的濃度為4.8mol/L-5.8mol/L，所述蝕刻的溫度為47℃-53℃，所述蝕刻的壓力為1.5kg/cm²-3.5kg/cm²。

2.根據權利要求1所述的導線蝕刻方法，其特征在于：

在所述步驟S2中，通過貼膜機進行貼干膜。

3.根據權利要求1所述的導線蝕刻方法，其特征在于：

在所述步驟S3中，進行所述酸洗的酸洗槽中的液體為硫酸溶液，硫酸濃度為70ml/L-130ml/L。

4.根據權利要求3所述的導線蝕刻方法，其特征在于：

在所述步驟S3中，所述微蝕的微蝕量為0.3μm-3.2μm。

5.根據權利要求4所述的導線蝕刻方法，其特征在于：

在所述步驟S3中，進行所述微蝕的微蝕槽中的過硫酸鈉溶液的濃度為50g/L-100g/L，所述微蝕槽中的硫酸溶液的濃度為10ml/L-60ml/L，所述微蝕槽中的銅離子的濃度為小于25g/L。

6.根據權利要求1所述的導線蝕刻方法，其特征在于：

在所述步驟S3中，插頭鍍金槽與鍍厚金槽的金濃度為2.0g/L-8.0g/L，插頭鍍金槽的鈷濃度為1.0g/L-2.0g/L。

7.根據權利要求6所述的導線蝕刻方法，其特征在于：

在所述步驟S4中，所述膨松與所述褪膜的溫度為45℃-55℃，所述褪膜的壓力為2.0kg/cm²-3.0kg/cm²。

8.根據權利要求1至7任一項所述的導線蝕刻方法，其特征在于：

在所述步驟S5中，所述氨水洗的壓力為1kg/cm²-2 kg/cm²。