[發明專利]一種太陽能吸收器在審

申請號：	202011214580.6	申請日：	2020-11-04
公開（公告）號：	CN112259616A	公開（公告）日：	2021-01-22
發明（設計）人：	李長紅;孫大偉;易凌俊;王再鵬	申請（專利權）人：	青島大學
主分類號：	H01L31/0216	分類號：	H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/0304;H01L31/0352;F24S70/10;F24S70/30
代理公司：	北京高沃律師事務所 11569	代理人：	王立普
地址：	266071 山東省***	國省代碼：	山東;37
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種太陽能吸收
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【權利要求書】：

1.一種太陽能吸收器，其特征在于，包括：金屬鎢基底、二維光子晶體單元和抗反射層，所述二維光子晶體單元設置在所述金屬鎢基底之中和所述抗反射層之下，所述二維光子晶體單元的數量為多個，各所述二維光子晶體單元以相同尺寸按四方晶格結構排列，置于所述金屬鎢基底內部，各所述二維光子晶體單元均為半徑為R的圓形空腔結構，各所述圓形空腔結構內部填充GaAs。

2.根據權利要求1所述的太陽能吸收器，其特征在于，所述二維光子晶體單元的晶格常數為480nm。

3.根據權利要求1所述的太陽能吸收器，其特征在于，所述二維光子晶體單元的空腔高度為2200nm。

4.根據權利要求1所述的太陽能吸收器，其特征在于，所述二維光子晶體單元的空腔半徑為190nm。

5.根據權利要求1所述的太陽能吸收器，其特征在于，所述抗反射層厚度為165nm。

6.根據權利要求1所述的太陽能吸收器，其特征在于，所述金屬鎢基底的高度為2250nm。

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