[發明專利]一種降低濃縮液中一價離子濃度的系統和方法在審
| 申請號: | 202011213717.6 | 申請日: | 2020-11-04 |
| 公開(公告)號: | CN112607828A | 公開(公告)日: | 2021-04-06 |
| 發明(設計)人: | 盛飛;馬躍華 | 申請(專利權)人: | 北京朗新明環保科技有限公司 |
| 主分類號: | C02F1/44 | 分類號: | C02F1/44;C02F9/10;C02F101/10;C02F101/12 |
| 代理公司: | 北京巨弘知識產權代理事務所(普通合伙) 11673 | 代理人: | 趙洋 |
| 地址: | 100039 北京市海淀區西*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 降低 濃縮 液中一價 離子 濃度 系統 方法 | ||
1.一種降低濃縮液中一價離子濃度的系統,其特征在于:包括一級納濾裝置(1),與所述一級納濾裝置(1)分別連接的二級納濾裝置(2)和高壓反滲透裝置(3);
所述一級納濾裝置(1)包括一級納濾裝置本體(11),設置在所述一級納濾裝置本體(11)上的一級納濾裝置進水管(12),設置在所述一級納濾裝置本體(11)上另一側的一級納濾裝置濃水口(13)和一級納濾裝置產水口(14);
所述二級納濾裝置(2)包括二級納濾裝置本體(21),設置在所述二級納濾裝置本體(21)上的二級納濾裝置進水管(22),設置在所述二級納濾裝置本體(21)上另一側的二級納濾裝置濃水口(23)和二級納濾裝置產水口(24);
所述高壓反滲透裝置(3)包括高壓反滲透裝置本體(31),設置在所述高壓反滲透裝置本體(31)上的高壓反滲透裝置進水管(32),設置在所述高壓反滲透裝置本體(31)上另一側的高壓反滲透裝置濃水口(33)和高壓反滲透裝置產水口(34);
所述一級納濾裝置濃水口(13)與所述二級納濾裝置進水管(22)相連,所述一級納濾裝置產水口(14)與所述高壓反滲透裝置進水管(32)相連;所述高壓反滲透裝置產水口(34)連接有第一管路(35)和第二管路(36),所述第一管路(35)與所述二級納濾裝置進水管(22)相連。
2.根據權利要求1所述的一種降低濃縮液中一價離子濃度的系統,其特征在于:還包括與所述二級納濾裝置濃水口(23)相連的第一結晶裝置(4)。
3.根據權利要求2所述的一種降低濃縮液中一價離子濃度的系統,其特征在于:所述第一結晶裝置(4)為蒸發結晶裝置。
4.根據權利要求1所述的一種降低濃縮液中一價離子濃度的系統,其特征在于:還包括與所述高壓反滲透裝置濃水口(33)相連的第二結晶裝置(5)。
5.根據權利要求4所述的一種降低濃縮液中一價離子濃度的系統,其特征在于:所述第二結晶裝置(5)為蒸發結晶裝置。
6.一種降低濃縮液中一價離子濃度的方法,其特征在于:包括如下步驟:
S1.濃縮液經一級納濾裝置進水管(12)進入一級納濾裝置本體(11),所述濃縮液中的二價離子經過所述一級納濾裝置(1)的截留后與所述濃縮液中的一價離子形成一級納濾裝置濃水從一級納濾裝置濃水口(13)流出;透過所述一級納濾裝置(1)的納濾膜形成一級納濾裝置產水并從一級納濾裝置產水口(14)流入高壓反滲透裝置進水管(32);
S2.所述一級納濾裝置濃水被從第一管路(35)流出的高壓反滲透裝置產水稀釋后進入二級納濾裝置本體(21),所述一級納濾裝置濃水的二價離子經過所述二級納濾裝置(2)的再次截留并與稀釋后的一價離子形成二級納濾裝置濃水并從二級納濾裝置濃水口(23)流出;透過所述二級納濾裝置(2)的納濾膜形成二級納濾裝置產水并從二級納濾裝置產水口(24)流入高壓反滲透裝置進水管(32);
S3.所述一級納濾裝置產水與所述二級納濾裝置產水經過高壓反滲透裝置(3)的濃縮后形成高壓反滲透裝置產水和高壓反滲透裝置濃水,所述高壓反滲透裝置產水從高壓反滲透裝置產水口(34)通過所述第一管路(35)和第二管路(36)流出,所述高壓反滲透裝置濃水從高壓反滲透裝置濃水口(33)流出。
7.根據權利要求6所述的一種降低濃縮液中一價離子濃度的方法,其特征在于:步驟S2中所述二級納濾裝置濃水通過所述二級納濾裝置濃水口(23)流入第一結晶裝置(4),得到二價離子結晶。
8.根據權利要求7所述的一種降低濃縮液中一價離子濃度的方法,其特征在于:步驟S2中所述二價離子結晶的方法為蒸發結晶。
9.根據權利要求6所述的一種降低濃縮液中一價離子濃度的方法,其特征在于:步驟S3中所述高壓反滲透裝置濃水通過所述高壓反滲透裝置濃水口(33)流入第二結晶裝置(5),得到一價離子結晶。
10.根據權利要求9所述的一種降低濃縮液中一價離子濃度的方法,其特征在于:步驟S3中所述一價離子結晶的方法為蒸發結晶。
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