[發(fā)明專利]陣列基板的制作方法及陣列基板

有效

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• 申請日: 2020-11-04
• 公開（公告）號: CN112038288B
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發(fā)明（設計）人: 李智煒;羅艷梅;劉翔;殷桂華;胡珂
• 申請（專利權）人: 成都中電熊貓顯示科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G03F7/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權代理有限公司 11205
• 代理人: 弋梅梅;劉芳

1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

在基板上形成柵極；

在所述基板和所述柵極上依次形成柵極絕緣層和半導體層；

通過半色調光刻工藝對所述半導體層圖形化，以形成通過第一間隔相隔的第一半導體部和第二半導體部，所述第一半導體部背離所述第一間隔的一側具有第二間隔，所述第一半導體部上具有第一光刻膠部，所述第二半導體部上具有第二光刻膠部；

對所述第一光刻膠部和所述第二光刻膠部進行灰化，以暴露第一半導體部的兩側和所述第二半導體部，對暴露的所述第一半導體部進行導體化，使所述第一半導體部的兩側分別形成用于與源極和漏極連接的觸點，對暴露的所述第二半導體部進行導體化，使其形成像素電極；

在所述第一光刻膠部、所述第一間隔、所述第二間隔和所述像素電極上沉積金屬層，在所述金屬層上涂覆光刻膠，采用掩膜版進行曝光和顯影形成與阻擋層、所述源極和所述漏極的圖形對應的光刻膠，然后進行刻蝕形成所述阻擋層、所述源極和所述漏極，再洗掉光刻膠，其中，所述阻擋層、所述源極和所述漏極相互斷開，所述源極和所述漏極分別與所述第一半導體部相對的兩側接觸，且所述漏極還與所述像素電極接觸，所述阻擋層位于所述半導體層的上方，且所述第一光刻膠部位于所述阻擋層和所述第一半導體部之間；

所述阻擋層的第一側相鄰的所述源極與所述阻擋層的第一側之間具有第一間隙，所述阻擋層的第二側相鄰的所述漏極與所述阻擋層的第二側之間具有第二間隙，所述第一間隙與灰化后的所述第一光刻膠部的第一側邊緣對應，所述第二間隙與灰化后的所述第一光刻膠部的第二側邊緣對應。

2.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述通過光刻工藝在所述第一光刻膠部、所述第一間隔和部分所述第二間隔分別形成阻擋層、漏極和源極包括：

在所述第一光刻膠部、所述第一間隔、所述第二間隔和所述像素電極上沉積金屬層；

在所述金屬層上涂覆光刻膠，采用半色調掩膜版進行曝光和顯影形成與所述阻擋層、所述源極和所述漏極的圖形對應的光刻膠，然后進行干法刻蝕形成所述阻擋層、所述源極和所述漏極，再洗掉光刻膠。

3.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述通過光刻工藝對所述半導體層圖形化，以形成通過第一間隔相隔的第一半導體部和第二半導體部包括：

在所述半導體層上涂覆光刻膠；

通過半色調掩膜版對所述光刻膠進行曝光和顯影，以形成光刻膠層圖形；所述光刻膠層圖形包括無光刻膠區(qū)、半光刻膠區(qū)和全光刻膠區(qū)，所述全光刻膠區(qū)與有源層區(qū)域對應，所述半光刻膠區(qū)包括第一半光刻膠區(qū)、第二半光刻膠區(qū)和第三半光刻膠區(qū)；所述第一半光刻膠區(qū)和所述第二半光刻膠區(qū)分別位于所述全光刻膠區(qū)的兩側，且分別與源極的觸點和漏極的觸點對應，所述第三半光刻膠區(qū)與所述像素電極的圖形對應；

所述第一半光刻膠區(qū)、所述第二半光刻膠區(qū)和所述全光刻膠區(qū)形成所述第一光刻膠部，所述第三半光刻膠區(qū)形成所述第二光刻膠部；

以所述光刻膠層圖形作為保護對所述半導體層進行刻蝕，以使所述半導體層形成所述第一半導體部和所述第二半導體部。

4.根據(jù)權利要求3所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，對所述第一光刻膠部進行灰化包括：

灰化所述光刻膠層圖形，以減薄所述全光刻膠區(qū)，去除所述第一半光刻膠區(qū)和所述第二半光刻膠區(qū)，從而暴露第一半導體部的兩側。

5.根據(jù)權利要求4所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述對暴露的所述第一半導體部進行導體化，使所述第一半導體部的兩側分別形成用于與源極和漏極連接的觸點包括：

對暴露的所述第一半導體部進行等離子體處理，使所述第一半導體部的兩側分別形成用于與源極和漏極連接的觸點。

6.根據(jù)權利要求3所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，對所述第二光刻膠部進行灰化包括：

灰化所述光刻膠層圖形，以去除所述第三半光刻膠區(qū)，從而暴露所述第二半導體部。