[發(fā)明專利]顯示基板、其制作方法及顯示面板、顯示裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011212622.2
• 申請日: 2020-11-03
• 公開（公告）號(hào): CN112331678A
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李棟;于洋;張慧娟;劉政
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L27/32;H01L29/49;H01L21/77
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 劉源

本公開提供的顯示基板、其制作方法及顯示面板、顯示裝置，包括：具有互不交疊的第一區(qū)域和第二區(qū)域的襯底基板；低溫多晶硅晶體管，位于第一區(qū)域；低溫多晶硅晶體管包括多晶硅有源層；氧化物晶體管，位于第二區(qū)域；氧化物晶體管包括第一柵極，第一柵極與多晶硅有源層同層設(shè)置，第一柵極的材料為重?fù)诫s的多晶硅。通過采用重?fù)诫s的多晶硅制作氧化物晶體管的第一柵極，使得低溫多晶硅晶體管的多晶硅有源層與氧化物晶體管的第一柵極可同層設(shè)置，從而避免了單獨(dú)設(shè)置氧化物晶體管的第一柵極所在膜層，由此減少了具有低溫多晶硅晶體管和氧化物晶體管的顯示基板所含疊層數(shù)量，降低了膜層應(yīng)力失配引起裂紋致使晶體管失效的風(fēng)險(xiǎn)，提升了產(chǎn)品良率。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示基板、其制作方法及顯示面板、顯示裝置。

背景技術(shù)

隨著顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，人們對顯示產(chǎn)品的分辨率、功耗和畫質(zhì)的要求越來越高。為了滿足這些要求，目前經(jīng)常采用低溫多晶硅-氧化物(英文：Low TemperaturePolycrystalline-Oxide，簡稱：LTPO)技術(shù)，來制作顯示產(chǎn)品的驅(qū)動(dòng)背板中的像素驅(qū)動(dòng)電路，這種LTPO技術(shù)即：同時(shí)利用低溫多晶硅薄膜晶體管(LTPS TFT)和金屬氧化物薄膜晶體管(Oxide TFT)作為像素驅(qū)動(dòng)電路中的功能管，由于LTPS TFT遷移率高，可以加快對像素電容的充電速度，Oxide TFT具有更低的泄漏電流，將這兩種晶體管的優(yōu)勢相結(jié)合，有助于高分辨率、低功耗、高畫質(zhì)的顯示產(chǎn)品的開發(fā)。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本公開實(shí)施例提供一種顯示基板、其制作方法及顯示面板、顯示裝置，用以減少LTPO晶體管的膜層堆疊，從而降低膜層應(yīng)力失配引起裂紋致使晶體管失效的風(fēng)險(xiǎn)，提升產(chǎn)品良率。

因此，本公開實(shí)施例提供的一種顯示基板，包括：

襯底基板，所述襯底基板包括互不交疊的第一區(qū)域和第二區(qū)域；

低溫多晶硅晶體管，位于所述第一區(qū)域；所述低溫多晶硅晶體管包括多晶硅有源層；

氧化物晶體管，位于所述第二區(qū)域；所述氧化物晶體管包括第一柵極，所述第一柵極與所述多晶硅有源層同層設(shè)置，所述第一柵極的材料為重?fù)诫s的多晶硅。

可選地，在本公開實(shí)施例提供的上述顯示基板中，所述低溫多晶硅晶體管還包括：依次位于所述多晶硅有源層所在層背離所述襯底基板一側(cè)的第二柵極、第一源極和第一漏極；其中所述第一源極和所述第一漏極與所述多晶硅有源層電連接；

所述氧化物晶體管還包括：位于所述第二柵極所在層與所述第一源極和所述第一漏極所在層之間的氧化物有源層，位于所述氧化物有源層與所述第一源極和所述第一漏極所在層之間的第三柵極，以及與所述第一源極和所述第一漏極同層設(shè)置的第二源極和第二漏極；其中所述第二源極和所述第二漏極與所述氧化物有源層電連接。

可選地，在本公開實(shí)施例提供的上述顯示基板中，還包括：位于所述第一柵極所在層與所述氧化物有源層所在層之間的第一柵絕緣層，位于所述氧化物有源層所在層與所述第三柵極所在層之間的第二柵絕緣層，以及位于所述氧化物有源層所在層與所述第二源極和所述第二漏極所在層之間的層間絕緣層；

所述第一源極和所述第一漏極通過貫穿所述第一柵絕緣層、所述第二柵絕緣層和所述層間絕緣層的第一過孔與所述多晶硅有源層電連接，所述第二源極和所述第二漏極通過貫穿所述第二柵絕緣層和所述層間絕緣層的第二過孔與所述氧化物有源層電連接；其中，所述第一過孔與所述第二過孔同步形成。

可選地，在本公開實(shí)施例提供的上述顯示基板中，所述襯底基板還包括與所述第一區(qū)域、所述第二區(qū)域均互不交疊的第三區(qū)域，所述第三區(qū)域設(shè)置有電容，所述電容包括與所述第二柵極同層設(shè)置的第一電極，以及與所述第三柵極同層設(shè)置的第二電極。

可選地，在本公開實(shí)施例提供的上述顯示基板中，還包括：在所述第一源極和所述第一漏極所在層背離所述襯底基板的一側(cè)依次設(shè)置的平坦層、多個(gè)陽極和像素界定層；其中，