[發明專利]一種水冷熱屏結構、單晶硅生長裝置以及單晶硅生長方法

在審

• 申請號: 202011212550.1
• 申請日: 2020-11-03
• 公開（公告）號: CN112251808A
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: 黃旭光;焦鵬;劉彬國
• 申請（專利權）人: 晶澳太陽能有限公司
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B15/00
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 張一軍;張效榮

1.一種水冷熱屏結構，其特征在于，包括：內殼(101)、外殼(102)、冷卻水導流裝置(103)，其中，

所述內殼(101)的內表面排列設置槽形結構(1011)；

所述內殼(101)的剖面和所述外殼(102)的剖面均為倒置的等腰梯形結構；

所述內殼(101)套裝在所述外殼(102)內，所述內殼(101)的上邊緣和下邊緣分別與所述外殼(102)的上邊緣和下邊緣密封連接；

所述內殼(101)與所述外殼(102)之間形成空腔，所述冷卻水導流裝置(103)設置于所述空腔內。

2.根據權利要求1所述水冷熱屏結構，其特征在于，

所述槽形結構(1011)排列于所述內殼(101)的內表面的部分區域或全部區域。

3.根據權利要求1或2所述水冷熱屏結構，其特征在于，

所述槽形結構(1011)在所述內殼(101)的內表面密集排列。

4.根據權利要求1或2所述水冷熱屏結構，其特征在于，

所述槽形結構(1011)的截面為V形、U形、弧形、類矩形以及扇形中的任意一種形狀。

5.根據權利要求4所述水冷熱屏結構，其特征在于，

針對所述內殼(101)的內表面僅排列設置有一種形狀的槽形結構(1011)的情況，

相鄰兩個所述槽形結構(1011)的相鄰兩個側壁相交。

6.根據權利要求4所述水冷熱屏結構，其特征在于，

針對所述內殼(101)的內表面排列設置有多種形狀的槽形結構(1011)的情況，

相鄰兩個所述槽形結構(1011)的相鄰兩個側壁相交，或者，相鄰兩個所述槽形結構(1011)具有同一側壁。

7.根據權利要求1、2、5以及6任一項所述水冷熱屏結構，其特征在于，

所述槽形結構的夾角不大于90度。

8.根據權利要求1、2、5以及6任一項所述水冷熱屏結構，其特征在于，

所述槽形結構1011的深度不小于2mm；

和/或，

相鄰兩個所述槽形結構1011的相鄰側壁之間的間距不大于30mm。

9.一種單晶硅生長裝置，其特征在于，包括：單晶爐本體(20)以及權利要求1至8任一項所述水冷熱屏結構(10)，其中，

所述水冷熱屏結構(10)設置于所述單晶爐本體(20)內。

10.一種利用具有權利要求1至8任一所述的水冷熱屏結構的單晶硅生長裝置進行單晶硅生長的方法，其特征在于，

單晶硅穿過所述水冷熱屏結構拉直生長的步驟；

控制硅液面與加熱器之間的相對位置不超過誤差閾值，所述加熱器用于加熱硅液；

控制所述水冷熱屏結構下降的步驟。