[發明專利]半導體基板及其制造方法

在審

• 申請號: 202011212390.0
• 申請日: 2020-11-03
• 公開（公告）號: CN112310036A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 黃文宏
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體基板，其特征在于，包括：

第一介電層，具有位于所述第一介電層中的第一通孔；

第一電鍍層，具有位于所述第一通孔內的第一通道層以及從所述第一通道層延伸至位于所述第一介電層上表面上的第一焊盤層；

其中，所述第一焊盤層的厚度與所述第一通孔的開口寬度之間的比值大于或等于1。

2.根據權利要求1所述的半導體基板，其特征在于，還包括：

第二介電層，位于所述第一介電層上，并且具有位于所述第二介電層中且位于所述第一通孔上方的第二通孔；

其中，所述第二通孔的開口寬度大于所述第一通孔的開口寬度。

3.根據權利要求2所述的半導體基板，其特征在于，所述第二通孔的開口寬度與所述第一通孔的開口寬度之間的比值為1.25。

4.根據權利要求1所述的半導體基板，其特征在于，所述第一通孔的所述開口寬度小于20μm，所述第一焊盤層的厚度在7μm至10μm的范圍內。

5.根據權利要求1所述的半導體基板，其特征在于，

所述半導體基板為天線基板，并且所述第一電鍍層電性連接所述天線基板中的天線。

6.一種制造半導體基板的方法，其特征在于，包括：

提供第一介電層；

在所述第一介電層中形成第一通孔；

在所述第一通孔上方電鍍第一電鍍層，所述第一電鍍層具有位于所述第一通孔內的第一通道層以及從所述第一通道層延伸至位于所述第一介電層上表面上的第一焊盤層；

其中，所述第一焊盤層的厚度與所述第一通孔的開口寬度之間的比值大于或等于1。

7.根據權利要求6所述的制造半導體基板的方法，其特征在于，還包括：

在所述第一介電層上形成第二介電層；

使用鐳射射擊在所述第二介電層中且在所述第一通孔上方形成第二通孔；

在所述第二通孔上方電鍍第二電鍍層，所述第二電鍍層具有位于所述第二通孔內的第二通道層以及從所述第二通道層延伸至位于所述第二介電層上表面上的第二焊盤層，其中，所述第二焊盤層的厚度大于所述第一焊盤層的厚度。

8.根據權利要求6所述的制造半導體基板的方法，其特征在于，還包括：

在所述第一介電層上形成第二介電層；

使用鐳射射擊在所述第二介電層中且在所述第一通孔上方形成第二通孔，其中，所述第二通孔的開口寬度大于所述第一通孔的開口寬度，并且所述鐳射射擊的鐳射被限定在所述第二通孔的范圍內。

9.根據權利要求8所述的制造半導體基板的方法，其特征在于，所述第二通孔的開口寬度與所述第一通孔的開口寬度之間的比值為1.25。

10.根據權利要求6所述的制造半導體基板的方法，其特征在于，所述第一通孔的所述開口寬度小于20μm，所述第一焊盤層的厚度在7μm至10μm的范圍內。