[發(fā)明專利]單晶生長方法及單晶生長設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011212265.X
• 申請(qǐng)日: 2020-11-03
• 公開（公告）號(hào): CN112323141A
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙言;張楠;沈偉民;黃瀚藝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號(hào): C30B15/00
• 分類號(hào): C30B15/00;C30B15/20;C30B29/06
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種單晶生長方法，其特征在于，包括：

提供單晶生長設(shè)備，所述單晶生長設(shè)備包括坩堝、用于提拉坩堝的坩堝提拉裝置、用于提拉單晶的單晶提拉裝置、導(dǎo)流筒和用于提拉導(dǎo)流筒的導(dǎo)流筒提拉裝置；

設(shè)定理論液口距，根據(jù)坩堝和單晶尺寸確定理論堝跟比后開始單晶生長；

在單晶生長過程中調(diào)整坩堝、導(dǎo)流筒和單晶中的一個(gè)或多個(gè)的位置并實(shí)時(shí)測量得到實(shí)際液口距，計(jì)算實(shí)際液口距和理論液口距的偏差值并依所述偏差值得到堝跟比變化值，依所述堝跟比變化值對(duì)所述理論堝跟比進(jìn)行調(diào)整；

依所述堝跟比變化值對(duì)所述單晶提拉裝置的拉速進(jìn)行調(diào)整，以使單晶生長過程中的晶體工藝?yán)俦３植蛔儯渲校w工藝?yán)贋閱尉鄬?duì)于液面的提升速度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶生長方法，其特征在于，對(duì)所述理論堝跟比進(jìn)行調(diào)整的方法包括調(diào)整坩堝提升速度和/或單晶提拉速度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶生長方法，其特征在于，計(jì)算實(shí)際液口距和理論液口距的偏差值后還包括對(duì)得到的偏差值進(jìn)行數(shù)據(jù)濾波的步驟，依數(shù)據(jù)濾波后的偏差值得到所述堝跟比變化值。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶生長方法，其特征在于，對(duì)所述堝跟比變化值進(jìn)行數(shù)據(jù)濾波后，依數(shù)據(jù)濾波后的堝跟比變化值對(duì)所述單晶提拉裝置的拉速進(jìn)行調(diào)整。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶生長方法，其特征在于，所述堝跟比變化值為所述理論堝跟比的-5％～5％。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶生長方法，其特征在于，單晶生長過程中，液口距變化速度斜率的最大值為0.05mm/min。

7.一種控制模塊，其特征在于：包括：處理器及存儲(chǔ)器；

所述存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)程序；

所述處理器用于執(zhí)行所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)的計(jì)算機(jī)程序，以使所述控制模塊執(zhí)行如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的單晶生長方法。

8.一種存儲(chǔ)介質(zhì)，其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，其特征在于，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的單晶生長方法。

9.一種單晶生長設(shè)備，其特征在于，包括：

爐體；

坩堝，設(shè)置于所述爐體內(nèi)，用于承載熔融硅，單晶一端與所述熔融硅液面接觸；

坩堝提拉裝置，與所述坩堝相連接，用于對(duì)所述坩堝進(jìn)行提拉；

導(dǎo)流筒及導(dǎo)流筒提拉裝置，所述導(dǎo)流筒設(shè)置于所述爐體內(nèi)，與所述導(dǎo)流筒提拉裝置連接，所述導(dǎo)流筒自所述坩堝的外側(cè)延伸到所述熔融硅的上方；

單晶提拉裝置，與所述單晶的另一端相連接，用于在單晶生長過程對(duì)單晶進(jìn)行提拉；

PLC控制器，與所述坩堝提拉裝置、導(dǎo)流筒提拉裝置及單晶提拉裝置相連接，在單晶生長過程中通過控制坩堝提拉裝置、導(dǎo)流筒提拉裝置及單晶提拉裝置的提拉速度以使單晶生長過程中的晶體工藝?yán)俦３植蛔儯渲校w工藝?yán)贋閱尉鄬?duì)于液面的提升速度。