[發明專利]氧化物薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板

有效

• 申請號: 202011212211.3
• 申請日: 2020-11-03
• 公開（公告）號: CN112420848B
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發明（設計）人: 趙舒寧;卓毅
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/49;H01L27/12;H01L21/28;H01L21/34
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 李新干

1.一種氧化物薄膜晶體管，其特征在于，包括襯底基板和設于所述襯底基板上的柵極層；

其中，所述柵極層的上層部分的功函數與所述柵極層的下層部分的功函數不同，以用于調控所述柵極層的功函數來增大所述氧化物薄膜晶體管的閾值電壓；

所述氧化物薄膜晶體管為底柵器件的P型薄膜晶體管，所述柵極層的上層部分摻雜有氫，所述柵極層的上層部分的功函數小于所述柵極層的下層部分的功函數。

2.如權利要求1所述的氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述氧化物薄膜晶體管還包括：

依次設于所述柵極層之上的柵極絕緣層、氧化物半導體層、蝕刻阻擋層和源漏極層。

3.一種氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

提供襯底基板；

在所述襯底基板上形成柵極層；

對所述柵極層進行表面處理，使所述柵極層的上層部分的功函數與所述柵極層的下層部分的功函數不同，以通過調控所述柵極層的功函數來增大所述氧化物薄膜晶體管的閾值電壓；

所述氧化物薄膜晶體管為底柵器件的P型薄膜晶體管，則對所述柵極層進行表面處理，使所述柵極層的上層部分的功函數與所述柵極層的下層部分的功函數不同，具體包括：

對所述柵極層的上層部分摻雜氫，使所述柵極層的上層部分的功函數小于所述柵極層的下層部分的功函數。

4.如權利要求3所述的氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述對所述柵極層的上層部分摻雜氫，具體包括：

用氫的等離子體轟擊所述柵極層的上層部分，以對所述柵極層進行等離子體表面處理。

5.一種陣列基板，其特征在于，包括如權利要求1或2所述的氧化物薄膜晶體管，以及在所述氧化物薄膜晶體管的源漏極層之上的鈍化層、平坦化層、陽極和像素定義層。