[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體器件的擴(kuò)散阻擋部及方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011211593.8
• 申請(qǐng)日: 2020-11-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113314458A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-08-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭家邦;施奐宇;陳玟璇;蔡政倫;李亞蓮;翁政輝;林俊杰;蘇鴻文;劉耀閔
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/768
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/768;H01L23/528
• 代理公司: 北京東方億思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258
• 代理人: 陳蒙

1.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

在第一電介質(zhì)層中形成導(dǎo)電特征；

在所述導(dǎo)電特征之上形成第二電介質(zhì)層；

穿過(guò)所述第二電介質(zhì)層蝕刻開(kāi)口，所述蝕刻暴露所述導(dǎo)電特征的表面；

在所述開(kāi)口中沉積犧牲層，其中，所述犧牲層選擇性地比形成在所述第二電介質(zhì)層的表面上更多地形成在所述導(dǎo)電特征的暴露表面上；

在所述開(kāi)口中沉積阻擋層，其中，所述阻擋層選擇性地相比于所述犧牲層形成在所述第二電介質(zhì)層的表面上，其中，沉積所述阻擋層包括：

從一個(gè)或多個(gè)第一前體沉積導(dǎo)電阻擋材料；以及

在沉積所述導(dǎo)電阻擋材料之后，從一個(gè)或多個(gè)第二前體沉積摻雜金屬；

去除所述犧牲層；以及

沉積導(dǎo)電材料以填充所述開(kāi)口，所述導(dǎo)電材料接觸所述導(dǎo)電特征。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，去除所述犧牲層包括執(zhí)行等離子體處理工藝。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述等離子體處理工藝增加所述阻擋層的密度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，沉積所述阻擋層包括原子層沉積ALD工藝。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，沉積所述導(dǎo)電阻擋材料包含化學(xué)氣相沉積CVD工藝。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述犧牲層是通過(guò)在所述導(dǎo)電特征的所述暴露表面上施加苯并三唑BTA而形成的。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述摻雜金屬是釕。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述導(dǎo)電阻擋材料是氮化鉭。

9.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：

在導(dǎo)電特征之上形成絕緣層；

蝕刻所述絕緣層以暴露所述導(dǎo)電特征的第一表面；

用犧牲材料覆蓋所述導(dǎo)電特征的所述第一表面，其中，所述絕緣層的側(cè)壁不含所述犧牲材料；

用阻擋材料覆蓋所述絕緣層的側(cè)壁，其中，所述導(dǎo)電特征的所述第一表面不含所述阻擋材料，其中，所述阻擋材料包括用過(guò)渡金屬摻雜的氮化鉭TaN；

去除所述犧牲材料；以及

用導(dǎo)電材料覆蓋所述阻擋材料和所述導(dǎo)電特征的所述第一表面。

10.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

第一導(dǎo)電特征，位于第一電介質(zhì)層中；

蝕刻停止層，位于所述第一導(dǎo)電特征之上；

第二電介質(zhì)層，位于所述蝕刻停止層之上；以及

第二導(dǎo)電特征，延伸穿過(guò)所述第二電介質(zhì)層和所述蝕刻停止層以實(shí)體接觸所述第一導(dǎo)電特征，其中，所述第二導(dǎo)電特征包括：

阻擋層，在所述第二電介質(zhì)層的側(cè)壁上和所述蝕刻停止層的側(cè)壁上連續(xù)延伸，其中，所述阻擋層包括在金屬氮化物的第一層和所述金屬氮化物的第二層之間的過(guò)渡金屬層；以及

導(dǎo)電填充材料，位于所述阻擋層之上，其中，所述導(dǎo)電填充材料在所述阻擋層和所述第一導(dǎo)電特征之間延伸。