[發(fā)明專利]一種具有對(duì)稱階梯氧埋層的4H-SiC金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011210977.8
• 申請(qǐng)日: 2020-11-03
• 公開（公告）號(hào): CN112436051A
• 公開（公告）日: 2021-03-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱順威;賈護(hù)軍;董夢(mèng)宇;王笑偉;楊銀堂
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/16;H01L29/78
• 代理公司: 西安中科匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 61254
• 代理人: 汪重慶

1.一種具有對(duì)稱階梯氧埋層的4H-SiC金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，包括：4H-SiC半絕緣襯底(1)、P型緩沖層(2)、第一對(duì)稱階梯氧埋層(3)和第二對(duì)稱階梯氧埋層(4)、N型溝道層(5)；

所述N型溝道層(5)的上端面分別為源極帽層(7)和漏極帽層(6)；

所述源極帽層(7)的上端面設(shè)置源電極(9)，所述漏極帽層(6)上端面設(shè)置漏電極(10)；

所述N型溝道層(5)的上表面介于源極帽層(7)和漏極帽層(6)之間形成柵電極(8)；

所述第一對(duì)稱階梯氧埋層(3)和第二對(duì)稱階梯氧埋層(4)分別設(shè)置在所述N型溝道層(5)的內(nèi)側(cè)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有對(duì)稱階梯氧埋層的4H-SiC金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述第一對(duì)稱階梯氧埋層(3)為凸字型，其上半部分寬度和高度分別為0.2-0.3μm和0.05-0.08μm，下半部分寬度和高度分別為0.3-0.5μm和0.05-0.08μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有對(duì)稱階梯氧埋層的4H-SiC金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述第二對(duì)稱階梯氧埋層(4)為凸字型，其上半部分寬度和高度分別為0.4-0.6μm和0.05-0.08μm，下半部分寬度和高度分別為0.8-1.0μm和0.05-0.08μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有對(duì)稱階梯氧埋層的4H-SiC金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述第一對(duì)稱階梯氧埋層(3)的上半部分與所述N型溝道層(5)的左側(cè)邊緣的距離為0.65μm，所述第一對(duì)稱階梯氧埋層(3)的下半部分與所述N型溝道層(5)左側(cè)邊緣的距離為0.6μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有對(duì)稱階梯氧埋層的4H-SiC金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述第二對(duì)稱階梯氧埋層(4)的上半部分與所述N型溝道層(5)的右側(cè)邊緣的距離為0.85μm，所述第二對(duì)稱階梯氧埋層(4)的下半部分與所述N型溝道層(5)的右側(cè)邊緣的距離為0.8μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有對(duì)稱階梯氧埋層的4H-SiC金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述第一對(duì)稱階梯氧埋層(3)和第二對(duì)稱階梯氧埋層(4)均為通過階梯注氧，隨后通過高溫退火形成階梯氧化層。