[發明專利]量子級聯激光器

在審

• 申請號: 202011209595.3
• 申請日: 2020-11-03
• 公開（公告）號: CN112787219A
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 吉永弘幸;橋本順一;古川將人
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: H01S5/34
• 分類號: H01S5/34;H01S5/20;H01S5/02253
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 季瑩;方應星

1.一種量子級聯激光器，其中，具備：

激光器結構體，具有在第1方向上射出激光的出射面；以及

透鏡，具有接受來自所述出射面的所述激光的入射面以及射出會聚后的所述激光的凸狀面，

所述激光器結構體具備半導體基板以及臺面型波導，所述臺面型波導設置于所述半導體基板的主面的第1區域上，并在所述第1方向上延伸，

所述透鏡包括半導體，并設置于所述半導體基板的所述主面的第2區域上，

所述第1區域和所述第2區域在所述第1方向上排列。

2.根據權利要求1所述的量子級聯激光器，其中，

所述透鏡是平凸透鏡，從與所述半導體基板的所述主面交叉的第2方向觀察時，所述凸狀面呈凸狀地彎曲。

3.根據權利要求1或2所述的量子級聯激光器，其中，

所述量子級聯激光器還具備設置于所述出射面上的反射膜，

所述反射膜具有使所述激光透過的狹縫。

4.根據權利要求3所述的量子級聯激光器，其中，

所述狹縫的寬度是1μm以上且5μm以下。

5.根據權利要求1至4中的任一項所述的量子級聯激光器，其中，

所述激光器結構體還具備將所述臺面型波導的側面埋入的電流塊區域，所述電流塊區域包括無摻雜或者半絕緣性的半導體，

所述透鏡具備在所述第1方向上延伸的半導體臺面以及將所述半導體臺面的側面埋入的半導體埋入區域，所述半導體埋入區域包括無摻雜或者半絕緣性的半導體。

6.根據權利要求1至5中的任一項所述的量子級聯激光器，其中，

所述臺面型波導的寬度是2μm以上且5μm以下。

7.根據權利要求1至6中的任一項所述的量子級聯激光器，其中，

在所述入射面與所述出射面之間設置有空間。

8.根據權利要求7所述的量子級聯激光器，其中，

所述入射面與所述出射面之間的距離是5μm以上。