[發明專利]半導體存儲器裝置及操作方法

在審

• 申請號: 202011209581.1
• 申請日: 2017-01-11
• 公開（公告）號: CN112509618A
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發明（設計）人: 安昶用;千浚豪
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C7/12
• 分類號: G11C7/12;G11C7/10
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 許偉群;阮愛青

1.一種用于操作半導體存儲器裝置的方法，包括:

通過將包括在第一區塊中的第一位線和第一字線兩者使能來激活所述第一區塊；

在包括第二位線和第二字線的第二區塊中，僅使能所述第二位線；以及

通過感測被使能的第一位線和被使能的第二位線之間的電壓差或電流差來產生輸出數據。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，僅使能所述第二位線的步驟包括：響應于表示所述第一位線的列地址而使能包括在所述第二區塊中的所述第二位線。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，使能包括在所述第二區塊中的所述第二位線的步驟使用響應于所述列地址而操作的狀態機。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一區塊和所述第二區塊彼此相鄰，以及產生所述輸出數據的步驟使用與所述第一位線和所述第二位線耦接的感測放大器。

5.一種測量在半導體存儲器裝置的激活區塊中的目標存儲單元的數據值的方法，所述方法包括：

感測在耦接到目標存儲單元的所述激活區塊中的第一位線與去激活區塊中的第二位線之間的電壓差或電流差，

其中，所述激活區塊被配置為包括被使能的第一位線和被使能的第一字線，

其中，所述去激活區塊被配置為包括被使能的第二位線和被禁止的第二字線，以及

其中，所述激活區塊和所述去激活區塊共享感測放大器。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述激活區塊和所述去激活區塊都具有基本相似量的泄漏電流，并且其中，所述第一位線和所述第二位線的電壓量或電流量之差抵消掉所述泄漏電流。

7.一種能夠在沒有因泄漏電流而導致的錯誤的情況下測量目標存儲單元的數據值的半導體存儲器裝置，所述半導體存儲器裝置包括：

共享感測放大器的第一區塊和第二區塊；

所述第一區塊包括耦接到第一位線和第一字線的目標存儲單元；

所述第二區塊包括第二位線和第二字線；

其中，所述第一區塊和所述第二區塊被配置為彼此相鄰；以及

其中，所述感測放大器被配置為通過感測所述第一位線與所述第二位線之間的電壓差或電流差來測量所述目標存儲單元的數據值。