[發明專利]一種生長在碳纖維布上的鋸齒狀氮摻雜SiC納米線的制備方法

有效

• 申請號: 202011209541.7
• 申請日: 2020-11-03
• 公開（公告）號: CN112614705B
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發明（設計）人: 楊為佑;李笑笑;牛昌明;李侃;李維俊;劉喬;陳善亮;錢桂榮
• 申請（專利權）人: 寧波工程學院;江蘇尚今光電科技有限公司
• 主分類號: H01G11/86
• 分類號: H01G11/86;H01G11/30;H01G11/40
• 代理公司: 寧波市鄞州盛飛專利代理事務所(特殊普通合伙) 33243
• 代理人: 王玲華;洪珊珊

1.一種生長在碳纖維布上的鋸齒狀氮摻雜SiC納米線的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：

將生長在碳纖維布上的三棱柱狀氮摻雜SiC納米線置于氫氟酸和硝酸的混合溶液中，加熱腐蝕反應，冷卻后，水洗、干燥得生長在碳纖維布上的鋸齒狀氮摻雜SiC納米線；

所述加熱腐蝕反應為：在50-70℃的溫度下反應2-3h；

氫氟酸的濃度為35-45wt%，硝酸的濃度為60-70wt%；氫氟酸和硝酸的體積比為（2.5-3.5）：1。

2.根據權利要求1所述的一種生長在碳纖維布上的鋸齒狀氮摻雜SiC納米線的制備方法，其特征在于，所述加熱腐蝕反應為：在60℃的溫度下反應2.5h。

3.根據權利要求1所述的一種生長在碳纖維布上的鋸齒狀氮摻雜SiC納米線的制備方法，其特征在于，所述生長在碳纖維布上的三棱柱狀氮摻雜SiC納米線的制備方法包括以下步驟：

含Si、C元素的有機前驅體熱交聯固化和球磨后得到有機前驅體粉末，將有機前驅體粉末和氮源粉末混合后置于石墨坩堝底部，浸泡有催化劑的碳纖維布襯底置于石墨坩堝頂部，然后將石墨坩堝置于氣氛燒結爐中，在惰性氣體保護下以46-55℃/min的速率升溫至1400-1500℃，然后以3-6℃/min的速率升溫至1550-1650℃，隨爐冷卻至室溫，得到生長在碳纖維布上的三棱柱狀氮摻雜SiC納米線。

4.根據權利要求3所述的一種生長在碳纖維布上的鋸齒狀氮摻雜SiC納米線的制備方法，有機前驅體為聚硅氮烷，氮源為三聚氰胺、二聚氰胺、單氰胺、尿素中的一種或多種。

5.根據權利要求3所述的一種生長在碳纖維布上的鋸齒狀氮摻雜SiC納米線的制備方法，其特征在于，有機前驅體與氮源的質量比為（2-4）：1。

6.根據權利要求3所述的一種生長在碳纖維布上的鋸齒狀氮摻雜SiC納米線的制備方法，其特征在于，所述催化劑為硝酸鈷、硝酸鎳、硝酸鐵、硫酸鎳中的一種或多種。

7.一種如權利要求1所述的制備方法獲得的生長在碳纖維布上的鋸齒狀氮摻雜SiC納米線在超級電容器中的應用。