[發明專利]KDP類晶體錐柱生長區域的判別方法及測量裝置

在審

• 申請號: 202011206315.3
• 申請日: 2020-11-03
• 公開（公告）號: CN112432898A
• 公開（公告）日: 2021-03-02
• 發明（設計）人: 趙元安;李婷;連亞飛;朱翔宇;邵建達
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海光學精密機械研究所
• 主分類號: G01N21/01
• 分類號: G01N21/01;G01N21/59;G01N1/28;C30B29/14
• 代理公司: 上海恒慧知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31317
• 代理人: 張寧展

1.一種KDP類晶體錐柱生長區域的判別方法，其特征在于，對待測KDP類晶體進行深紫外激光透過率測量，根據透過率T值大小判斷錐柱生長區域：透過率T高于70％，為KDP類晶體的錐面生長區；透過率T低于50％，為KDP類晶體的柱面生長區；透過率T在[50％，70％]，則為KDP類晶體的錐柱交界區。

2.如權利要求1所述的KDP類晶體錐柱生長區域的判別方法，其特征在于，所述KDP類晶體材料包括磷酸二氫鉀及其同位素化合物氘化磷酸二氫鉀晶體、磷酸二氫銨及氘化磷酸二氫銨晶體。

3.如權利要求1所述的KDP類晶體錐柱生長區域的判別方法，其特征在于，所述KDP類晶體為快速生長法生長獲得，晶體經過切割、拋光等加工，表面無明顯劃痕等加工缺陷。

4.如權利要求1所述的KDP類晶體錐柱生長區域的判別方法，其特征在于，對待測KDP類晶體進行深紫外激光透過率測量，具體步驟如下：

①測量深紫外激光光束的初始能量E₁或者初始光功率P₁；

②在所述的深紫外激光光束的發射方向放置所述的待測KDP類晶體，且深紫外激光光束垂直入射至待測KDP類晶體；

③測量透過該待測KDP類晶體的透射光光束能量E₂或者透射光功率P₂，并計算待測KDP類晶體的透過率T，公式如下：

T＝E₂/E₁*100％或者T＝P₂/P₁*100％

④根據該透過率T，即可判斷KDP類晶體該測量點處為何種晶體生長區域。

5.如權利要求4所述的KDP類晶體錐柱生長區域的判別方法，其特征在于，在與所述的深紫外激光光束垂直的平面內移動待測KDP類晶體，使測量點鋪滿所述的待測KDP類晶體表面，即可判斷待測KDP類晶體所有測量點處的晶體生長區域。

6.實施權利要求1-5任一所述的KDP類晶體錐柱生長區域的判別方法的透過率測量裝置，其特征在于，該裝置包括用于產生特定深紫外波段激光束的激光光源、供待測KDP類晶體放置的移動平臺、分光鏡、第一光束探測器和第二光束探測器；

所述激光光源產生的激光束經所述分光鏡分成反射光和透射光，其中，反射光直接入射到第一光束探測器上，所述的透射光經待測KDP類晶體透射后，入射到第二光束探測器上；

所述的移動平臺、第一光束探測器和第二光束探測器分別與計算機連接，通過計算機操控移動平臺的二維移動，通過計算機上相應軟件讀取一定時間內光束探測器的讀數。

7.如權利要求5所述的透過率測量裝置，其特征在于，所述激光光源可發射連續或脈沖激光，激光能量波動盡可能小(如≤1％)，激光波長為200nm-290nm范圍內某一特定波長。

8.如權利要求5所述的透過率測量裝置，其特征在于，所述激光光源、分光鏡、移動平臺和光束探測器均置于暗室中的減震光學平臺上。