[發明專利]一種低壓低溫單片式工藝外延機臺在審
| 申請號: | 202011206043.7 | 申請日: | 2020-11-02 |
| 公開(公告)號: | CN112133656A | 公開(公告)日: | 2020-12-25 |
| 發明(設計)人: | 鄭錦 | 申請(專利權)人: | 南京原磊納米材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京專贏專利代理有限公司 11797 | 代理人: | 于剛 |
| 地址: | 211800 江蘇省南京市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 低壓 低溫 單片 工藝 外延 機臺 | ||
1.一種低壓低溫單片式工藝外延機臺,其特征在于,包括:
石英反應腔,在石英反應腔四周加設有多組反射板,而反射板利用上下包圍分布在石英反應腔四周的環形的加熱燈泡組對石英反應腔加熱,其中,加熱燈泡組中包含有環形燈絲;
以及,反射板利用其表面鋪設有的反射涂層對加熱燈泡組發出的熱量進行反射,并把熱量全覆蓋無死角集中至石英反應腔中。
2.根據權利要求1所述的一種低壓低溫單片式工藝外延機臺,其特征在于,所述加熱燈泡組為呈環形的紅外加熱燈泡。
3.根據權利要求1所述的一種低壓低溫單片式工藝外延機臺,其特征在于,
所述加熱燈泡組在反射板內部加裝有多組;
且反射板表面鋪設有的反射涂層為放射鍍金板層。
4.根據權利要求3所述的一種低壓低溫單片式工藝外延機臺,其特征在于,所述反射板外部加裝有多個測溫儀。
5.根據權利要求4所述的一種低壓低溫單片式工藝外延機臺,其特征在于,所述測溫儀為非接觸式紅外測溫儀,并通過石英件監控部件的溫度。
6.根據權利要求1所述的一種低壓低溫單片式工藝外延機臺,其特征在于,所述石英反應腔上加裝有用于冷卻的冷卻風循環冷卻系統,并利用冷卻風循環冷卻系統對加熱燈泡組和石英反應腔進行冷卻,延長加熱燈泡組的壽命和控制石英反應腔的溫度。
7.根據權利要求6所述的一種低壓低溫單片式工藝外延機臺,其特征在于,所述冷卻風循環冷卻系統在石英反應腔上開設有冷卻通道、進氣口和出風口。
8.根據權利要求1-7任一所述的一種低壓低溫單片式工藝外延機臺,其特征在于,所述反射板包括反射板Ⅰ和反射板Ⅱ,反射板Ⅰ和反射板Ⅱ呈對稱分布。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





