[發明專利]多金屬用氣相防銹紙及其制備方法

在審

• 申請號: 202011204740.9
• 申請日: 2020-11-02
• 公開（公告）號: CN112442923A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發明（設計）人: 詹天榮
• 申請（專利權）人: 青島鑫盈鑫包裝材料有限公司
• 主分類號: D21H27/10
• 分類號: D21H27/10;D21H17/14;D21H17/07;D21H17/06;D21H17/68;D21H17/05;D21H21/38;C23F11/02;C07F5/04
• 代理公司: 青島中天匯智知識產權代理有限公司 37241
• 代理人: 袁曉玲

一種多金屬用氣相防銹紙及其制備方法。所述復合氣相緩釋層各組份的質量百分比分別為：10?30％的苯甲酸鈉；10?30％的2,6?二甲氧基1,4?苯醌；10?25％的苯并三氮唑；5?20％的2,4?二叔丁基?4?甲基苯酚；10?20％的苯氨基甲酸甲酯；5?15％的2?甲基嘧啶；10?30％的松香酸酰胺硼酸酯化合物；10?30％的氣相二氧化硅。本發明的復方氣相緩蝕劑在非離子表面活性劑松香酸酰胺硼酸酯的調節下，充分融合相互作用；氣相二氧化硅可作為氣相復合緩蝕劑的支撐體，極大提高了其比表面積，使它們能充分揮發到金屬表面形成保護膜，通過協同作用更好地發揮氣相防銹性能。

技術領域：

本發明涉及適應多種金屬制品無毒氣相防銹紙制品領域，具體地指一種多金屬用氣相防銹紙及其制備方法。

背景技術：

氣相防銹技術是目前非接觸性防銹的重要方法之一。它利用氣相緩蝕劑(Volatile Corrosion Inhibitor，VCI)在常溫下自動揮發出氣體在金屬表面形成一層保護膜，抑制了電化學反應的發生，同時還阻擋了一些加速金屬腐蝕物質(如水、氧氣和其它酸性氣體等)對金屬表面的侵蝕，從而減緩或阻止對金屬表面的銹蝕。常用的包裝使用形式有氣相防銹粉：在包裝容器或封存空間中放置一定量的氣相緩蝕劑；防銹紙：氣相緩蝕劑涂覆在原紙上；氣相防銹薄膜：將緩蝕劑添加在塑料薄膜中。上述三種使用形式中，氣相緩蝕劑通過升華持續緩慢揮發形成緩蝕劑氣體，擴散到金屬表面與之相通過化學鍵或吸附作用形成分子薄膜，有效抑制金屬表面銹蝕。

氣相防銹紙用于金屬制品的表面防護包裝已有很長歷史，相對于傳統的防銹油和水溶性防銹液，具有非接觸性防銹無死角、環境友好、使用方便、清潔干凈等特點，近年來已在金屬及其制品生產、運輸和貯存等環節的防銹蝕中得到了廣泛的應用。目前用作氣相緩蝕劑的有效化學成分中，亞硝基類緩蝕劑仍占有很大比重，但研究已明確表明，亞硝基和仲胺在生物體內很容易轉化成一種強致癌物質亞硝胺，使用后廢棄的氣相防銹紙也會對環境造成極大污染。另一方面，部分氣相緩蝕劑本身具有潮解現象，會在存放過程中降低防銹包裝紙的機械強度，在使用過程中易被鋼材棱角破壞。雖然研究人員使用大量工業改性沸石來改善防銹紙的性能，但生產工業改性沸石不僅危害操作人員身體健康、污染環境，而且容易發生火災事故，使安全生產具有潛在風險。而且使用工業改性沸石時并沒對其粒徑做出具體要求，其作為支撐體時并不能盡可能大地起到分散氣相緩蝕劑的作用。此外，目前大多數氣相防銹紙中氣相緩蝕劑配方中的各組份只是通過簡單的物理混合或溶解混合，相互之間缺乏合適的表面活性分子進行連接，并不能使氣相緩蝕劑各組分完全互融，充分發揮其氣相防銹作用。

因此，研制生產一種對多金屬具有優良防銹效果，而且兼具有環境友好、操作簡便的氣相防銹紙，對解決金屬制品保存運輸過程中的銹蝕問題具有重要意義。

非離子型表面活性劑可將氣相緩蝕劑成分很好地聯系在一起，增進其相互融合，充分發揮它們的氣相緩蝕性能；同時還可以大降低液體的表面張力，增強潤濕性，使氣相緩蝕劑成分牢固均勻地附著在氣相防銹紙上。以自然資源豐富的不飽和酸、醇胺和硼酸為原料制備所得的松香酸酰胺硼酸酯，既具有疏水基團，還含有多個羥基、酰胺基等親水基團，因此表面活性高，潤濕能力強，而且對有機氣相分子具有促溶作用。更為重要的是松香酸酰胺硼酸酯分子中含有的胺基和硼酸根使其可作為極壓潤滑劑、分散穩定劑、吸附劑、防銹劑、潤濕劑。但它們作為添加劑在氣相防銹紙技術方面的應用還未見報道。

發明內容：

本發明的目的在于解決現有技術中的不足，提供一種多金屬用氣相防銹紙及其制備方法。解決了氣相防銹紙使用中性能不佳及產生的環境問題。

為了解決上述問題，本發明采用以下技術方案：

一種多金屬用氣相防銹紙，其特征在于包括復合氣相緩釋層和原紙層，所述復合氣相緩釋層各組份的質量百分比分別為：10-30％的苯甲酸鈉；10-30％的2,6-二甲氧基1,4-苯醌；10-25％的苯并三氮唑；5-20％的2,4-二叔丁基-4-甲基苯酚；10-20％的苯氨基甲酸甲酯；5-15％的2-甲基嘧啶；10-30％的松香酸酰胺硼酸酯化合物；10-30％的氣相二氧化硅；