[發明專利]半導體工藝設備及其法拉第杯

在審

• 申請號: 202011204687.2
• 申請日: 2020-11-02
• 公開（公告）號: CN112397367A
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發明（設計）人: 王桂濱;韋剛
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01J37/244
• 分類號: H01J37/244;H01J37/32
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 施敬勃

1.一種半導體工藝設備的法拉第杯，其特征在于，包括：杯體(100)、杯口組件(200)以及電源部(390)，其中，

所述杯口組件(200)設置在所述杯體(100)的杯口上，所述杯口組件(200)包括：

第一電極層(210)，位于在所述杯口的上方；

第二電極層(220)，位于所述第一電極層(210)的上方，與所述第一電極層(210)絕緣；

其中，所述第一電極層(210)和第二電極層(220)開設有對應設置的通孔(230)；

所述電源部(390)用于向所述第一電極層(210)施加第一負脈沖偏壓，并向所述第二電極層(220)施加第二負脈沖偏壓，其中，所述第一負脈沖偏壓和第二負脈沖偏壓具有相同的相位，且所述第一負脈沖偏壓的偏壓值大于所述第二負脈沖偏壓的偏壓值。

2.根據權利要求1所述的法拉第杯，其特征在于，所述電源部(390)還用于向所述杯體(100)施加第三負脈沖偏壓，其中，所述第三負脈沖偏壓、第一負脈沖偏壓和第二負脈沖偏壓具有相同相位，且所述第三負脈沖偏壓的偏壓值小于所述第一負脈沖偏壓的偏壓值和第二負脈沖偏壓的偏壓值，所述杯體(100)與所述第一電極層(210)絕緣。

3.根據權利要求2所述的法拉第杯，其特征在于，所述第一電極層(210)與所述杯體(100)之間、所述第一電極層(210)和第二電極層(220)之間、所述第二電極層(220)遠離所述第一電極層(210)的一側均設置有絕緣層(240)，所述絕緣層(240)均開設有與所述第一電極層(210)和第二電極層(220)的通孔(230)對應設置的通孔(230)。

4.根據權利要求1-3任意一項所述的法拉第杯，其特征在于，所述杯體(100)的內壁設置有保護層(110)。

5.根據權利要求1-3任意一項所述的法拉第杯，其特征在于，所述通孔(230)具有多個，所述通孔(230)的直徑為0.5mm-2mm。

6.根據權利要求5所述的法拉第杯，其特征在于，多個所述通孔(230)的開口面積之和占所述杯體(100)的杯口面積的0.4％-2％。

7.一種半導體工藝設備，其特征在于，包括：工藝腔室(300)；所述工藝腔室(300)內設置有用于承載晶圓的承載部(500)，所述工藝腔室(300)內還設置有固定安裝部(400)，所述固定安裝部(400)設置有繞所述承載部(500)設置的容置槽(410)，如權利要求1-6任意一項所述的法拉第杯設置在所述容置槽(410)內。

8.根據權利要求7所述的半導體工藝設備，其特征在于，還包括聚焦環(430)，所述聚焦環(430)將所述固定安裝部(400)的側壁和所述固定安裝部(400)開設所述容置槽(410)的端面包覆，所述聚焦環(430)開設有與所述第一電極層(210)和第二電極層(220)的通孔(230)對應設置的通孔(230)。

9.根據權利要求7或8所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述固定安裝部(400)和所述杯體(100)為陶瓷一體結構。

10.根據權利要求9所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述杯口組件(200)的上端面與所述固定安裝部(400)的上端面平齊。