[發(fā)明專利]精細(xì)粒度刷新

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011204071.5
• 申請日: 2017-05-23
• 公開（公告）號: CN112506422B
• 公開（公告）日: 2022-12-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 凱達(dá)爾納特·巴拉里斯南
• 申請（專利權(quán)）人: 超威半導(dǎo)體公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 上海勝康律師事務(wù)所 31263
• 代理人: 樊英如;邱曉敏

本發(fā)明涉及精細(xì)粒度刷新，本發(fā)明提供了一種數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，包括：存儲器通道；以及耦合至所述存儲器通道的數(shù)據(jù)處理器。所述數(shù)據(jù)處理器適于訪問至少一個存儲區(qū)塊并具有刷新邏輯。響應(yīng)于所述刷新邏輯的激活，所述數(shù)據(jù)處理器生成對所述存儲器通道的存儲體的刷新周期。所述數(shù)據(jù)處理器選擇第一狀態(tài)和第二狀態(tài)中的一個狀態(tài)，所述第一狀態(tài)對應(yīng)于第一自動刷新命令，所述第一自動刷新命令導(dǎo)致所述數(shù)據(jù)處理器自動刷新所述存儲體，所述第二狀態(tài)對應(yīng)于第二自動刷新命令，所述第二自動刷新命令導(dǎo)致所述數(shù)據(jù)處理器自動刷新所述存儲體的選定子集。所述數(shù)據(jù)處理器響應(yīng)于所述刷新邏輯檢測到與所述存儲體有關(guān)的第一條件而開始所述第一狀態(tài)與所述第二狀態(tài)之間的切換，并且響應(yīng)于刷新邏輯電路檢測到第二條件而開始所述第二狀態(tài)與所述第一狀態(tài)之間的切換。

本申請是申請?zhí)枮?01780030093.4、申請日為2017年5月23日、發(fā)明名稱為“精細(xì)粒度刷新”的發(fā)明專利申請的分案申請。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開總體上涉及數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，且更具體來說，涉及刷新數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)中的存儲器系統(tǒng)。

背景技術(shù)

已經(jīng)開發(fā)了各種各樣的技術(shù)來提高計算機系統(tǒng)的整體處理速度。集成電路處理技術(shù)的巨大改進(jìn)促使能夠提高計算機處理速度和存儲器容量，由此有助于改善計算機系統(tǒng)的整體性能。能夠生產(chǎn)具有亞微米特征的集成電路使每個集成電路的例如電容器等電子部件的數(shù)目也增加成為可能。

動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)芯片包含具有亞微米特征的大型電容器陣列，所述DRAM芯片用于計算機系統(tǒng)中的主存儲器。DRAM通常便宜且密度高，由此實現(xiàn)每個裝置集成大量DRAM。由于電容器的固有性質(zhì)，必須不斷刷新DRAM，否則存儲在電容器內(nèi)的數(shù)據(jù)將會丟失。每個電容器緩慢地漏電，并且如果不刷新DRAM，則最終電容器將泄漏足夠的電荷并遭遇不可逆的數(shù)據(jù)損壞。

目前銷售的大多數(shù)DRAM芯片與由聯(lián)合電子器件工程委員會(JEDEC)發(fā)布的各種雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)DRAM標(biāo)準(zhǔn)兼容。由JEDEC所提供的標(biāo)準(zhǔn)提供了防止在某一時間段內(nèi)訪問數(shù)據(jù)的刷新周期時間。增加計算機系統(tǒng)內(nèi)的DDR DRAM裝置密度會增加刷新所需的時間量，并由此增加計算機處理延遲。

為了解決這些問題，JEDEC采用稱為1X、2X和4X刷新模式的DDR版本4(DDR4)標(biāo)準(zhǔn)中的特征。在這些模式中，DDR4存儲器可以響應(yīng)于單個刷新(REF)命令而分別刷新選定存儲體、所選存儲體的二分之一，或所選存儲體的四分之一。模式寄存器，即模式寄存器3(MR3)用于在這些模式之間進(jìn)行選擇。此外，MR3還可以被編程為支持“動態(tài)”模式，在所述動態(tài)模式下，1X或2X的選擇，或者1X或4X的選擇可以動態(tài)地執(zhí)行并由未使用的地址位指示。

附圖說明

圖1以框圖形式示出根據(jù)一些實施方案的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)；

圖2以框圖形式示出適用于圖1的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的加速處理單元(APU)；

圖3以框圖形式示出根據(jù)一些實施方案的適用于圖2的APU的存儲器控制器和相關(guān)聯(lián)物理接口(PHY)；

圖4以框圖形式示出根據(jù)一些實施方案的適用于圖2的APU的另一種存儲器控制器和相關(guān)聯(lián)PHY；

圖5以框圖形式示出根據(jù)一些實施方案的存儲器控制器；

圖6以狀態(tài)圖形式示出根據(jù)一些實施方案的刷新條件；

圖7以框圖形式示出根據(jù)一些實施方案的在不同存儲器刷新狀態(tài)下的刷新操作；以及

圖8示出根據(jù)一些實施方案的圖5的存儲器控制器可以使用的流程圖。

在以下描述中，在不同附圖中使用相同參考數(shù)字可指示相似或相同項目。除非另外說明，否則詞語“耦合”以及其相關(guān)動詞形式包括通過本領(lǐng)域已知的方式實現(xiàn)的直接連接與間接電氣連接兩者，并且除非另外說明，否則對直接連接的任何描述也暗示使用適當(dāng)形式的間接電氣連接的替代實施方案。

具體實施方式