[發(fā)明專利]一種驅(qū)動顯示芯片中偏移金凸塊的處理方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011203903.1
• 申請日: 2020-11-02
• 公開（公告）號: CN112309834B
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊雪松
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇納沛斯半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/60
• 代理公司: 北京盛凡智榮知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11616
• 代理人: 李青

1.一種驅(qū)動顯示芯片中偏移金凸塊的處理方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1.取一帶有偏移金凸塊的問題晶圓，并對所述問題晶圓進(jìn)行預(yù)處理：

S11.取一帶有偏移金凸塊的問題晶圓，并在所述問題晶圓上表面形成一層光刻膠層，所述光刻膠層覆蓋問題晶圓上表面和偏移金凸塊上表面；

S12.采用干法蝕刻工藝對光刻膠層進(jìn)行表面蝕刻，露出部分偏移金凸塊；

S2.對預(yù)處理后的所述問題晶圓進(jìn)行蝕刻處理：

S21.將預(yù)處理后的問題晶圓放入金蝕刻液中進(jìn)行蝕刻，完全除去所述偏移金凸塊；

S22.使用膠液洗去剩余光刻膠層；

S23.采用雙氧水去除所述偏移金凸塊底部的金屬化層，且所述金屬化層為濺鍍鈦鎢層；

S3.對蝕刻處理后的所述問題晶圓進(jìn)行金凸塊生長的重新作業(yè)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種驅(qū)動顯示芯片中偏移金凸塊的處理方法，其特征在于：在所述步驟S11中，所述光刻膠層覆蓋偏移金凸塊上表面的覆蓋厚度控制在2-4um。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種驅(qū)動顯示芯片中偏移金凸塊的處理方法，其特征在于：所述光刻膠層為負(fù)性PI光刻膠層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種驅(qū)動顯示芯片中偏移金凸塊的處理方法，其特征在于：所述負(fù)性PI光刻膠層由HD4100-PI負(fù)性光刻膠涂布形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種驅(qū)動顯示芯片中偏移金凸塊的處理方法，其特征在于：在所述步驟S12中，所述光刻膠層蝕刻后露出偏移金凸塊的高度控制在2-3um。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種驅(qū)動顯示芯片中偏移金凸塊的處理方法，其特征在于：在所述步驟S21中，所述金蝕刻液采用碘與碘化鉀的混合溶液。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種驅(qū)動顯示芯片中偏移金凸塊的處理方法，其特征在于：在所述步驟S22中，所述膠液中包含氧化保護(hù)劑和四甲基氫氧化銨，且所述氧化保護(hù)劑用于保護(hù)問題晶圓中的金屬布線層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種驅(qū)動顯示芯片中偏移金凸塊的處理方法，其特征在于：所述四甲基氫氧化銨在膠液中的質(zhì)量占比不超過1％，所述金屬布線層的材料為鋁。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種驅(qū)動顯示芯片中偏移金凸塊的處理方法，其特征在于：在執(zhí)行所述步驟S3之前，還包括對蝕刻處理后的所述問題晶圓進(jìn)行IQC檢驗。