[發明專利]一種利用低壓器件實現高壓的電平轉換電路在審
| 申請號： | 202011202106.1 | 申請日： | 2020-11-02 |
| 公開（公告）號： | CN112187250A | 公開（公告）日： | 2021-01-05 |
| 發明（設計）人： | 鄭金鵬 | 申請（專利權）人： | 硅谷數模（蘇州）半導體有限公司;硅谷數模國際有限公司 |
| 主分類號： | H03K19/003 | 分類號： | H03K19/003;H03K19/0185 |
| 代理公司： | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人： | 施昊 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 利用 低壓 器件 實現 高壓 電平 轉換 電路 | ||
1.一種利用低壓器件實現高壓的電平轉換電路，其特征在于：包括第一電平轉換器、第二電平轉換器、升壓電路、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第一電阻；所述第一電平轉換器的輸入端連接信號輸入端，第一電平轉換器的正電源端連接低壓供電電壓，第一電平轉換器的負電源端連接地電壓，所述升壓電路的一端連接第一電平轉換器的輸出端，升壓電路的另一端經第一電阻與高壓供電電壓連接，所述第一PMOS管的柵極連接升壓電路與第一電阻的公共連接端，第一PMOS管的源極連接高壓供電電壓，第一PMOS管的漏極連接第二PMOS管的源極，所述第二電平轉換器的輸入端連接信號輸入端，第二電平轉換器的輸出端連接第二NMOS管的柵極，第二NMOS管的源極連接地電壓，第二NMOS管的漏極第一NMOS管的源極，第一NMOS管的柵極與第二PMOS管的柵極連接并共同接入低壓供電電壓，第一NMOS管的漏極與第二PMOS管的漏極連接并共同連接信號輸出端。
2.根據權利要求1所述利用低壓器件實現高壓的電平轉換電路，其特征在于：所述升壓電路包括若干個依次連接的二極管，其中后一個二極管的陰極連接前一個二極管的陽極，且第一個二極管的陰極連接所述第一電平轉換器的輸出端，最后一個二極管的陽極連接所述第一電阻。
3.根據權利要求1所述利用低壓器件實現高壓的電平轉換電路，其特征在于：所述升壓電路包括若干個依次連接的PMOS管，其中后一個PMOS管的漏極連接前一個PMOS管的源極，且第一個PMOS管的漏極連接所述第一電平轉換器的輸出端，最后一個PMOS管的源極連接所述第一電阻，每個PMOS管的柵極與漏極相連。
4.根據權利要求1所述利用低壓器件實現高壓的電平轉換電路，其特征在于：所述升壓電路包括若干個依次連接的NMOS管，其中后一個NMOS管的源極連接前一個NMOS管的漏極，且第一個NMOS管的源極連接所述第一電平轉換器的輸出端，最后一個PMOS管的漏極連接所述第一電阻，每個NMOS管的柵極與漏極相連。
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