[發明專利]電子組件及其制造方法

在審

• 申請號: 202011201086.6
• 申請日: 2020-11-02
• 公開（公告）號: CN113764185A
• 公開（公告）日: 2021-12-07
• 發明（設計）人: 梁正承;具本錫;李相旭;金政民;趙成珉
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/12;H01G4/236
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 何巨;金光軍

1.一種電子組件，包括：

電子組件主體部，包括主體和設置在所述主體上的外電極，所述主體包括介電層和內電極；以及

涂覆部，包括設置在所述電子組件主體部的外表面上的涂覆層和設置在所述涂覆層上的多個突起。

2.根據權利要求1所述的電子組件，其中，所述涂覆部具有5nm至30nm的平均厚度。

3.根據權利要求1所述的電子組件，其中，所述多個突起中的至少一個具有大于等于3nm的高度。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的電子組件，其中，所述涂覆部的表面的中心線平均粗糙度大于等于0.3nm。

5.根據權利要求1-3中任一項所述的電子組件，其中，所述涂覆部與水的接觸角大于等于100度。

6.根據權利要求1-3中任一項所述的電子組件，其中，所述涂覆部包括硅氧烷基聚合物和/或氟基聚合物。

7.根據權利要求1-3中任一項所述的電子組件，其中，所述涂覆層和所述突起包括相同的材料。

8.根據權利要求1-3中任一項所述的電子組件，其中，所述涂覆層具有一個或更多個開口。

9.根據權利要求8所述的電子組件，其中，所述一個或更多個開口的面積大于0且小于等于所述涂覆層的總面積的10％。

10.根據權利要求1-3中任一項所述的電子組件，其中，所述涂覆層與所述外電極的外表面接觸，并且與所述主體的外表面的沒有設置所述外電極的區域接觸。

11.根據權利要求1-3中任一項所述的電子組件，其中，所述外電極包括設置在所述主體上的電極層以及設置在所述電極層上的鍍層。

12.一種制造電子組件的方法，所述方法包括：

制備電子組件主體部，所述電子組件主體部包括主體和設置在所述主體上的外電極，所述主體包括介電層和內電極；以及

使用氣相沉積形成涂覆部，所述涂覆部包括設置在所述電子組件主體部的外表面上的涂覆層和設置在所述涂覆層上的多個突起。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，所述涂覆部具有5nm至30nm的平均厚度。

14.根據權利要求12或13所述的方法，其中，所述多個突起中的至少一個具有大于等于3nm的高度。

15.根據權利要求12或13所述的方法，其中，所述外電極包括設置在所述主體上的電極層以及設置在所述電極層上的鍍層。

16.根據權利要求12或13所述的方法，其中，所述氣相沉積包括引發式化學氣相沉積。

17.一種電子組件，包括：

電子組件主體部，包括主體和設置在所述主體上的外電極，所述主體包括介電層和內電極；以及

有機材料，設置在所述電子組件主體部的外表面上并且包括多個突起。

18.根據權利要求17所述的電子組件，其中，所述有機材料包括硅氧烷基聚合物和/或氟基聚合物。

19.根據權利要求17所述的電子組件，其中，所述多個突起中的至少一個具有大于等于3nm的高度。

20.根據權利要求17-19中任一項所述的電子組件，其中，所述有機材料具有5nm至30nm的平均厚度。