[發(fā)明專(zhuān)利]一種納米金修飾的多通道ITO陣列電極芯片及其在電化學(xué)免疫傳感器中的應(yīng)用

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011200689.4
• 申請(qǐng)日: 2020-10-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112345610A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-02-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 奚亞男;胡淑錦
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 廣州鈺芯智能科技研究院有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G01N27/36
• 分類(lèi)號(hào): G01N27/36;G01N27/48;G01N33/53
• 代理公司: 廣州幫專(zhuān)高智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 44674
• 代理人: 顏德昊

1.一種納米金修飾的多通道ITO陣列電極芯片，其特征在于，所述芯片在同一電極上集成有八個(gè)工作電極，并具有共用的一個(gè)參比電極和一個(gè)輔助電極；所述工作電極具有相似的電極性質(zhì)，可用于多組分物質(zhì)的同時(shí)測(cè)定。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米金修飾的多通道ITO陣列電極芯片，其特征在于，所述芯片包括電極基底和電極修飾層，其中所述電極基底為ITO電極，所述電極修飾層為納米金修飾層，修飾于所述工作電極，參比電極修飾銀-氯化銀，輔助電極修飾鉑。

3.一種如權(quán)利要求1-2所述的納米金修飾的多通道ITO陣列電極芯片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、利用光刻蝕技術(shù)，制備多通道ITO電極；

S2、采用電沉積方法對(duì)所述多通道ITO電極進(jìn)行表面改性，制備納米金粒子修飾的多通道ITO陣列電極芯片。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種納米金修飾的多通道ITO陣列電極芯片的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中，所述多通道ITO電極的制備方法具體為：

電極材料清洗：將ITO玻璃在無(wú)水乙醇、二次水中各超聲清洗5min，在室溫下自然晾干；

勻膠：將清洗過(guò)的ITO玻璃導(dǎo)電的一面放在勻膠機(jī)上進(jìn)行光刻膠的旋涂，光刻膠預(yù)涂速度為1800rpm，時(shí)間為18s，涂膠速度為3000rpm，時(shí)間為30s；

前烘：將完成光刻膠旋涂的ITO玻璃置于90℃烘箱內(nèi)加熱烘烤20min；

曝光：將蒙板覆蓋到經(jīng)過(guò)前烘處理的ITO玻璃上，置于紫外燈下曝光7min；

顯影：將曝光后的ITO玻璃置于0.25％NaOH溶液中顯影處理3min；

堅(jiān)膜：將顯影后的ITO玻璃置于120℃的烘箱中，堅(jiān)膜處理15min；

腐蝕去膠：將堅(jiān)膜后的ITO玻璃置于體積比為6∶100∶100的硝酸-鹽酸-水溶液中進(jìn)行腐蝕，在超聲輔助下腐蝕處理6min，再用乙醇和二次水超聲波清洗。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種納米金修飾的多通道ITO陣列電極芯片的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中，所述電沉積方法具體為：以所述多通道ITO電極的工作電極為工作電極，外接鉑絲作為輔助電極、銀-氯化銀作為參比電極，將所述多通道ITO電極置入含有0.2M Na₂SO₄溶液的1mM HAuCl₄溶液中進(jìn)行循環(huán)伏安掃描處理。

6.一種如權(quán)利要求1所述的納米金修飾的多通道ITO陣列電極芯片在電化學(xué)免疫傳感器中的應(yīng)用。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的納米金修飾的多通道ITO陣列電極芯片在電化學(xué)免疫傳感器中的應(yīng)用，其特征在于，所述芯片可用于生物小分子的測(cè)定，具體包括抗壞血酸、多巴胺的測(cè)定。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的納米金修飾的多通道ITO陣列電極芯片在電化學(xué)免疫傳感器中的應(yīng)用，其特征在于，所述芯片可用于水體和食品的測(cè)定，具體包括亞硝酸鹽的測(cè)定。