[發明專利]一種高純硼晶體和高純硼粉的制備裝置

在審

• 申請號: 202011200531.7
• 申請日: 2020-10-30
• 公開（公告）號: CN112279260A
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發明（設計）人: 李房斌;何永健;譚繼軍;廖福
• 申請（專利權）人: 廣東先導稀材股份有限公司
• 主分類號: C01B35/02
• 分類號: C01B35/02;C30B29/02;C30B35/00
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 顏希文;黃華蓮

本發明涉及材料技術領域，公開了一種高純硼晶體和高純硼粉的制備裝置，包括具有腔室的座體、設于腔室內的第一導電棒、設于腔室內的第二導電棒、與第一導電棒電連接的第一電極、與第二導電棒電連接的第二電極，以及呈直線狀且具有第一端和第二端的電阻絲；第一導電棒的側面上設有第一插孔，第二導電棒的側面上設有第二插孔；第一端插入至第一插孔內，第二端插入至第二插孔內；第一導電棒上套設有第一夾緊環，第一夾緊環和第一導電棒的側面形成用于夾持電阻絲的第一間隙；第二導電棒上套設有第二夾緊環，第二夾緊環和第二導電棒的側面形成用于夾持電阻絲的第二間隙。本發明的電阻絲安裝穩固，不易松脫，且拆裝便捷，組裝效率高。

技術領域

本發明涉及材料技術領域，特別是涉及一種高純硼晶體和高純硼粉的制備裝置。

背景技術

高純硼由硼化物高溫裂解得到，現有技術中，高純硼晶體和高純硼粉可以采用如CN204803443U公開的一種用于晶體生長的加熱裝置進行制備，制備過程中，物料高溫狀態下附著電阻絲上沉積形成高純硼晶體，物料在高溫狀態下缺乏附著點時形成高純硼粉。

然而，現有技術中，將電阻絲固定在制備裝置內的結構復雜，拆裝不便。

發明內容

本發明要解決的技術問題是：現有技術中安裝固定電阻絲的結構復雜、拆裝不便。

為了解決上述技術問題，本發明提供了一種高純硼晶體和高純硼粉的制備裝置，包括具有腔室的座體、設于所述腔室內的第一導電棒、設于所述腔室內的第二導電棒、與所述第一導電棒電連接的第一電極、與所述第二導電棒電連接的第二電極，以及呈直線狀且具有第一端和第二端的電阻絲；所述第一導電棒的側面上設有第一插孔，所述第二導電棒的側面上設有第二插孔；所述第一端插入至所述第一插孔內，所述第二端插入至所述第二插孔內；所述第一導電棒上套設有第一夾緊環，所述第一夾緊環和所述第一導電棒的側面形成用于夾持所述電阻絲的第一間隙；所述第二導電棒上套設有第二夾緊環，所述第二夾緊環和所述第二導電棒的側面形成用于夾持所述電阻絲的第二間隙。

進一步地，所述電阻絲、第一插孔和第二插孔均設有多個，多個所述第一插孔繞所述第一導電棒的軸線環形分布，多個所述第二插孔繞所述第二導電棒的軸線環形分布；多個所述電阻絲、多個所述第一插孔以及多個所述第二插孔一一對應，各所述電阻絲的第一端分別插入至對應的第一插孔內，各所述電阻絲的第二端分別插入至對應的第二插孔內。

進一步地，所述座體包括兩端開口的管體、可拆卸連接于所述管體一端的第一密封蓋，以及可拆卸連接于所述管體另一端的第二密封蓋；所述第一密封蓋密封所述管體的一端，所述第二密封蓋密封所述管體的另一端；所述腔室由所述第一密封蓋、第二密封蓋以及管體圍成。

進一步地，所述第一密封蓋上設有第一過孔，所述第一電極穿過所述第一過孔并延伸至所述腔室外；所述第二密封蓋上設有第二過孔，所述第二電極穿過所述第二過孔并延伸至所述腔室外。

進一步地，所述座體上分別設有連通至所述腔室的第一通道和第二通道。

進一步地，所述第一電極朝向所述第一導電棒的端面上設有第一配合孔，所述第一導電棒插入至所述第一配合孔內。

進一步地，所述第二電極朝向所述第二導電棒的端面上設有第二配合孔，所述第二導電棒插入至所述第二配合孔內。

進一步地，所述第一夾緊環具有第一端面和第二端面，所述第一端面上開設有第一通孔，所述第二端面上開設有與所述第一通孔連通的第二通孔；所述第一導電棒依次穿過所述第一通孔和第二通孔；所述第二通孔朝向所述電阻絲，在所述第一端面朝向所述第二端面的方向上，所述第二通孔的內徑逐漸增大；所述第二夾緊環具有第三端面和第四端面，所述第三端面上開設有第三通孔，所述第四端面上開設有與所述第三通孔連通的第四通孔；所述第二導電棒依次穿過所述第三通孔和第四通孔；所述第三通孔朝向所述電阻絲，在所述第四端面朝向所述第三端面的方向上，所述第三通孔的內徑逐漸增大。