[發(fā)明專利]一種高精度叉指電極、其制備方法和應(yīng)用在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011200412.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112285182A | 公開(公告)日: | 2021-01-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 奚亞男;胡淑錦 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣州鈺芯智能科技研究院有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01N27/327 | 分類號(hào): | G01N27/327;G01N27/36 |
| 代理公司: | 廣州幫專高智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 44674 | 代理人: | 顏德昊 |
| 地址: | 510000 廣東省*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 高精度 電極 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種高精度叉指電極,其特征在于,包括絕緣基體、導(dǎo)電內(nèi)層和反應(yīng)層,其中所述絕緣基體表面設(shè)有所述導(dǎo)電內(nèi)層,所述導(dǎo)電內(nèi)層外表面設(shè)有所述反應(yīng)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高精度叉指電極,其特征在于,所述絕緣基體為硅基、陶瓷、玻璃等非金屬材料中的任一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高精度叉指電極,其特征在于,所述絕緣基材優(yōu)選硅基,其表面修飾二氧化硅保護(hù)層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高精度叉指電極,其特征在于,所述導(dǎo)電內(nèi)層的厚度為20~50nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高精度叉指電極,其特征在于,所述導(dǎo)電內(nèi)層為Cr、Ti、Ni中的一種形成的金屬或其中至少兩種形成的合金構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高精度叉指電極,其特征在于,所述反應(yīng)層的厚度為100nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高精度叉指電極,其特征在于,所述反應(yīng)層為Au、Ag、Pt中的一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高精度叉指電極,其特征在于,所述叉指電極的線寬線距為1~40μm。
9.一種制備如權(quán)利要求1所述的高精度叉指電極的方法,其特征在于,包括如下工序:在所述絕緣基體上依次磁控濺射所述導(dǎo)電內(nèi)層和所述反應(yīng)層,機(jī)械旋涂光刻膠;顯影曝光形成圖形線路,蝕刻底層形成電極線路;去膠膜后即得所述高精度叉指電極;
其中磁控濺射所述導(dǎo)電內(nèi)層方法具體為:濺射靶材為金屬,靶材直徑為15~25mm,厚度為2~5mm;靶材與絕緣基體的距離為10~15cm;所述磁控濺射功率為180~200W,濺射氣壓為1~3Pa,濺射時(shí)間為5~15min;
其中磁控濺射所述反應(yīng)層方法具體為:濺射靶材為金屬,靶材直徑為20~30mm,厚度為2~5mm;靶材與絕緣基體的距離為10~15cm;所述磁控濺射功率為200~250W,濺射氣壓為3~5Pa,濺射時(shí)間為15~25min。
10.一種如權(quán)利要求1所述的高精度叉指電極的應(yīng)用,其特征在于,所述叉指電極可用于生物分子檢測(cè),具體可用于制備電化學(xué)免疫傳感器。
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