[發明專利]一種耐高溫近紅外吸收高熵陶瓷及其制備方法

有效

• 申請號: 202011199648.8
• 申請日: 2020-10-29
• 公開（公告）號: CN112408984B
• 公開（公告）日: 2022-10-28
• 發明（設計）人: 向會敏;趙子樊;周延春;彭志堅;戴付志
• 申請（專利權）人: 航天材料及工藝研究所
• 主分類號: C04B35/50
• 分類號: C04B35/50;C04B35/622;C04B35/645
• 代理公司: 中國航天科技專利中心 11009
• 代理人: 范曉毅

1.一種耐高溫近紅外吸收高熵陶瓷，其特征在于，該陶瓷由以下摩爾配比的原料制得：

氧化釔 1份；

氧化釹 1份；

氧化釤 1份；

氧化銪 1份；

氧化鐿 1份；

氧化鉺 1份；

氧化鈮 1份；

氧化鉭 1份；

所述耐高溫近紅外吸收高熵陶瓷純度不低于99wt%，相對密度不低于98%。

2.根據權利要求1所述的一種耐高溫近紅外吸收高熵陶瓷，其特征在于，原料組分中氧化釔、氧化釹、氧化釤、氧化銪、氧化鐿、氧化鉺、氧化鈮以及氧化鉭為粉體材料。

3.根據權利要求1所述的一種耐高溫近紅外吸收高熵陶瓷，其特征在于，原料組分中氧化釔、氧化釹、氧化釤、氧化銪、氧化鐿、氧化鉺、氧化鈮以及氧化鉭粒徑≤2微米。

4.根據權利要求1-3任一項所述的一種耐高溫近紅外吸收高熵陶瓷的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）將原料粉末在球磨罐中與無水乙醇進行混合，得到混合均勻的料漿；

（2）所得料漿干燥處理得到混合粉末，后進行煅燒，得到陶瓷粉體；

（3）所得陶瓷粉體放入放電等離子燒結爐中進行高溫燒結，氣氛為真空。

5.根據權利要求4所述的一種耐高溫近紅外吸收高熵陶瓷的制備方法，其特征在于，步驟（1）中，混合時間為6~12h。

6.根據權利要求4所述的一種耐高溫近紅外吸收高熵陶瓷的制備方法，其特征在于，步驟（2）中，煅燒溫度≥1450℃，煅燒時間為1-3 h。

7.根據權利要求4所述的一種耐高溫近紅外吸收高熵陶瓷的制備方法，其特征在于，步驟（3）中，燒結溫度不低于所述步驟（2）中煅燒溫度。

8.根據權利要求4或7任一項所述的一種耐高溫近紅外吸收高熵陶瓷的制備方法，其特征在于，步驟（3）中，燒結溫度為1600~1700℃。

9.根據權利要求4所述的一種耐高溫近紅外吸收高熵陶瓷的制備方法，其特征在于，步驟（3）中，燒結時間≤30min，燒結壓強為20~40 MPa。

10.根據權利要求9所述的一種耐高溫近紅外吸收高熵陶瓷的制備方法，其特征在于，步驟（3）中，燒結時間為3~10min。

11.根據權利要求4所述的一種耐高溫近紅外吸收高熵陶瓷的制備方法，其特征在于，步驟（3）中，燒結升溫速率為50~120℃/min。