[發明專利]一種靈敏放大器電路

在審

• 申請號: 202011199570.X
• 申請日: 2020-10-30
• 公開（公告）號: CN112509617A
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發明（設計）人: 李兆桂;馮國友
• 申請（專利權）人: 普冉半導體（上海）股份有限公司
• 主分類號: G11C7/06
• 分類號: G11C7/06;G11C7/08;G11C5/14
• 代理公司: 上海元好知識產權代理有限公司 31323
• 代理人: 包姝晴;張靜潔

1.一種靈敏放大器電路，其特征在于，包括放大電路和偏置電路，所述偏置電路用于保證所述放大電路不失真的放大所述放大電路上的電壓，不失真放大后的電壓加載至存儲單元CELL的漏極，其中，加載至所述存儲單元CELL的漏極的電壓恒定。

2.如權利要求1所述的靈敏放大器電路，其特征在于，所述放大電路包括PMOS管PM1，NMOS管NM2、NM3；

其中，PM1的源極連接電壓VDD，PM1的柵極連接電壓VSABIAS，PM1的漏極連接NM3的漏極，NM3的源極連接NM2的漏極，NM2的柵極連接電源VDD，NM2的源極連接存儲單元CELL的漏極，存儲單元CELL的柵極連接電壓VWL，存儲單元CELL的源極接地。

3.如權利要求2所述的靈敏放大器電路，其特征在于，所述偏置電路包括PMOS管PM2、PM3，NMOS管NM1、NM4、NM5、NM6；

其中，PM2的源極連接電壓VDD，PM2的柵極、NM6的柵極連接偏置電壓VBLPBIAS，PM2的漏極連接PM3的源極，PM3的柵極、NM4的柵極連接控制端ENB，PM3的漏極、NM4的漏極、NM5的柵極、NM5的漏極、NM1的漏極連接NM3的柵極，NM4的源極、NM6的源極接地，NM5的源極、NM1的源極連接NM6的漏極，NM1的柵極連接NM2的漏極。

4.如權利要求3所述的靈敏放大器電路，其特征在于，當控制端ENB為高電平時，PM3關斷，NM3導通，偏置電壓VLIM被拉到低電平，靈敏放大器不工作。

5.如權利要求3或4所述的靈敏放大器電路，其特征在于，當控制端ENB為低電平時，NM4關斷，PM3導通，輸入VBLBIAS信號控制的偏置管PM2的偏置電流上拉VLIM，直至NM1和NM5的導通電流與偏置電流管PM2的電流相等，此時的VLIM即為后級放大器的偏置電壓，該靈敏放大器電路進入正常工作狀態。

6.如權利要求3所述的靈敏放大器電路，其特征在于，NM6的柵極連接偏置電壓VBLPBIAS，與NM2的襯偏效應抵消，補償NM2在不同電壓下的導通阻抗。