[發明專利]一種帶隙基準電路及芯片

有效

• 申請號: 202011197796.6
• 申請日: 2020-10-30
• 公開（公告）號: CN112416045B
• 公開（公告）日: 2022-07-19
• 發明（設計）人: 劉利書
• 申請（專利權）人: 廣東美的白色家電技術創新中心有限公司;美的集團股份有限公司
• 主分類號: G05F1/567
• 分類號: G05F1/567;G05F1/575
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 李慶波

1.一種帶隙基準電路，其特征在于，包括：

第一電流支路，包括連接于第一節點和第二節點之間的第一半導體器件；

第二電流支路，包括串聯于第三節點和所述第二節點之間的第一電阻和第二半導體器件；

電流產生電路，用于從所述第一節點和所述第三節點分別向所述第一電流支路和所述第二電流支路注入成比例設置的第一電流和第二電流，其中所述第一半導體器件的兩端具有第一壓降，所述第二半導體器件的兩端具有第二壓降，所述第一電阻的兩端具有第三壓降，所述第一壓降和第二壓降具有負溫度變化特性，所述第三壓降具有正溫度變化特性；

補償電路，用于從所述第一節點向所述第一電流支路注入第三電流，并調節所述第一節點和所述第三節點之間的電壓平衡；

其中，所述第三電流與所述第一電流成比例設置，所述第三電流為所述第一電流的M倍，M大于1，所述第一電流和所述第二電流相等。

2.根據權利要求1所述的帶隙基準電路，其特征在于，所述第一半導體器件具有第一PN結區域，所述第二半導體器件具有第二PN結區域，所述第二PN結區域的面積為所述第一PN結區域的面積的N倍，N大于1，以使得流經所述第一PN結區域的電流密度為流經所述第二PN結區域的電流密度的(M+1)×N倍，所述第一壓降為所述第一PN結區域兩端的壓降，所述第二壓降為所述第二PN結區域兩端的壓降，所述第三壓降為所述第一壓降和所述電流產生電路的失調電壓的疊加結果與所述第二壓降之間的差值。

3.根據權利要求1所述的帶隙基準電路，其特征在于，所述電流產生電路包括：

運算放大器，所述運算放大器的負相輸入端連接所述第一節點，所述運算放大器的正相輸入端連接所述第三節點；

第一開關管，所述第一開關管的第一通路端接收供電電壓，所述第一開關管的第二通路端連接所述第一節點，所述第一開關管的控制端連接所述運算放大器的輸出端；

第二開關管，所述第二開關管的第一通路端接收所述供電電壓，所述第二開關管的第二通路端連接所述第三節點，所述第二開關管的控制端連接所述運算放大器的輸出端；

所述補償電路包括第三開關管，所述第三開關管的第一通路端接收所述供電電壓，所述第三開關管的第二通路端連接所述第一節點，所述第三開關管的控制端連接所述運算放大器的輸出端。

4.根據權利要求3所述的帶隙基準電路，其特征在于，所述第一開關管、所述第二開關管和所述第三開關管為P型MOS管或PNP三極管。

5.根據權利要求4所述的帶隙基準電路，其特征在于，所述電流產生電路進一步包括：

第二電阻，所述第二電阻串聯于所述第一開關管的第二通路端與所述第一節點之間；

第三電阻，所述第三電阻串聯于所述第二開關管的第二通路端與所述第三節點之間；

其中，所述第三電阻與所述第二開關管的第二通路端之間具有第四節點，用于輸出所述帶隙基準電路的基準電壓。

6.根據權利要求1所述的帶隙基準電路，其特征在于，所述電流產生電路包括：

第一開關管，所述第一開關管的第一通路端接收供電電壓，所述第一開關管的控制端連接所述第一開關管的第二通路端；

第二開關管，所述第二開關管的第一通路端連接所述第一開關管的第二通路端，所述第二開關管的第二通路端連接所述第一節點；

第三開關管，所述第三開關管的第一通路端接收所述供電電壓，所述第三開關管的控制端連接所述第一開關管的控制端；

第四開關管，所述第四開關管的第一通路端連接所述第三開關管的第二通路端，所述第四開關管的控制端連接所述第四開關管的第一通路端和所述第二開關管的控制端，所述第四開關管的第二通路端連接所述第三節點；

所述補償電路包括第五開關管，所述第五開關管的第一通路端接收所述供電電壓，所述第五開關管的控制端連接所述第一開關管的第二通路端和所述第二開關管的第一通路端，所述第五開關管的第二通路端連接所述第一節點。