[發明專利]一種具有雙向ESD保護能力的SGT MOSFET器件

在審

• 申請號: 202011197260.4
• 申請日: 2020-10-30
• 公開（公告）號: CN112164721A
• 公開（公告）日: 2021-01-01
• 發明（設計）人: 李澤宏;趙一尚;胡汶金;林泳浩;李偉聰
• 申請（專利權）人: 深圳市威兆半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L27/02
• 代理公司: 深圳市中科創為專利代理有限公司 44384
• 代理人: 彭西洋;袁曼曼

1.一種具有雙向ESD保護能力的SGT MOSFET器件，包括元胞結構，其特征在于，所述元胞結構包括從下至上依次層疊的漏極金屬、N+襯底、N型漂移區、源極金屬；所述N型漂移區上表面一側形成溝槽柵極結構，溝槽柵極結構包括從上至下依次設置的N+Poly柵極、P型輕摻雜一區、N型輕摻雜區、P型輕摻雜二區、N型源極接觸區；所述N型漂移區上表面另一側設有緊鄰溝槽柵極結構的P型基區；所述P型基區的上表面設有相互接觸的N型重摻雜區和P型重摻雜區，且N型重摻雜區緊鄰溝槽柵極結構設置；所述溝槽柵極結構的下表面、側面以及上表面均設有氧化層，用于隔離N型漂移區、P型基區、N型重摻雜區以及源極金屬。

2.根據權利要求1所述的具有雙向ESD保護能力的SGT MOSFET器件，其特征在于，所述P型輕摻雜一區、N型輕摻雜區、P型輕摻雜二區、N型源極接觸區的側面與N型漂移區之間的氧化層為厚氧化層，N+Poly柵極側面的氧化層為薄氧化層。

3.根據權利要求1所述的具有雙向ESD保護能力的SGT MOSFET器件，其特征在于，所述N型源極接觸區與源極金屬相連接。