[發明專利]毫米波衰減器電路在審
| 申請號: | 202011197070.2 | 申請日: | 2020-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN112332804A | 公開(公告)日: | 2021-02-05 |
| 發明(設計)人: | 李苗 | 申請(專利權)人: | 西安科銳盛創新科技有限公司 |
| 主分類號: | H03H11/04 | 分類號: | H03H11/04 |
| 代理公司: | 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 王海棟 |
| 地址: | 710065 陜西省西安市高新區高新路86號*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 毫米波 衰減器 電路 | ||
1.一種毫米波衰減器電路,其特征在于,包括:
輸入端口(P1)、第一輸出端口(P2)、第二輸出端口(P3)、第三輸出端口(P4)以及第四輸出端口(P5);
耦合電感電路,所述耦合電感電路包括與所述輸入端口(P1)以及各個輸出端口分別連接的電感線圈,所述耦合電感電路用于隔離所述第一輸出端口(P2)、所述第二輸出端口(P3)、所述第三輸出端口(P4)以及所述第四輸出端口(P5);
第一衰減器,所述第一衰減器與所述第一輸出端口(P2)連接;
第二衰減器,所述第二衰減器與所述第二輸出端口(P3)連接;
第三衰減器,所述第三衰減器與所述第三輸出端口(P4)連接;
晶體管控制電路,所述晶體管控制電路包括分別與所述第一輸出端口(P2)、所述第二輸出端口(P3)、所述第三輸出端口(P4)、所述第四輸出端口(P5)連接的第n控制電路,其中n依次對應為一至四;所述晶體管控制電路基于各個控制電路的電平信號,選擇一個輸出端口實現與所述輸入端口導通,實現選擇不同衰減器,以及利用與各個輸出端口連接的所述電感線圈、除該輸出端口之外的其余輸出端口所連接的控制電路,配置該輸出端口的負載,以實現該輸出端口的負載匹配。
2.根據權利要求1所述的毫米波衰減器電路,其特征在于,所述耦合電感電路的所述電感線圈,包括:
第一電感線圈(L1)、第二電感線圈(L2)以及第三電感線圈(L3),所述第一電感線圈(L1)與所述輸入端口(P1)連接,所述第二電感線圈(L2)連接在所述第一輸出端口(P2)與所述第二輸出端口(P3)之間,所述第三電感線圈(L3)連接在所述第三輸出端口(P4)與所述第四輸出端口(P5)之間。
3.根據權利要求2所述的毫米波衰減器電路,其特征在于,還包括:
控制端口組,所述控制端口組包括第一控制端口(V1),第二控制端口(V2),第三控制端口(V3)以及第四控制端口(V4),所述第一控制端口(V1)與所述第一控制電路連接,所述第二控制端口(V2)與所述第二控制電路連接,所述第三控制端口(V3)與所述第三控制電路連接,所述第四控制端口(V4)與所述第四控制電路連接,所述控制端口組用于為所述晶體管控制電路提供電平信號。
4.根據權利要求3所述的毫米波衰減器電路,其特征在于,所述第n控制電路包括:第n晶體管(Mn)、第n柵極偏置電阻(Rn)以及所述第n晶體管(Mn)的源極間的第n外接電阻(Rsubn),所述第n柵極偏置電阻(Rn)連接在所述第n晶體管(Mn)的柵極與所述第n控制端口(Vn)之間,所述第n晶體管(Mn)的漏極與所述第n輸出端口并聯,所述第n晶體管(Mn)的源極接地,所述第n外接電阻(Rsub n)的一端與所述第n晶體管(Mn)的襯底連接,所述第n外接電阻(Rsub n)的另一端接地。
5.根據權利要求4所述的毫米波衰減器電路,其特征在于,所述第一控制端口(V1)提供第一電平信號,所述第二控制端口(V2)、所述第三控制端口(V3)以及所述第四控制端口(V4)提供第二電平信號,所述第一晶體管(M1)開關斷開,所述第二晶體管(M2)、所述第三晶體管(M3)以及所述第四晶體管(M4)開關導通,所述輸入端口(P1)與所述第一輸出端口(P2)導通。
6.根據權利要求4所述的毫米波衰減器電路,其特征在于,所述第二控制端口(V2)提供第一電平信號,所述第一控制端口(V1)、所述第三控制端口(V3)以及所述第四控制端口(V4)提供第二電平信號,所述第二晶體管(M2)開關斷開,所述第一晶體管(M1)、所述第三晶體管(M3)以及所述第四晶體管(M4)開關導通,所述輸入端口(P1)與所述第二輸出端口(P3)導通。
7.根據權利要求4所述的毫米波衰減器電路,其特征在于,所述第三控制端口(V3)提供第一電平信號,所述第一控制端口(V1)、所述第二控制端口(V2)以及所述第四控制端口(V4)提供第二電平信號,所述第三晶體管(M3)開關斷開,所述第一晶體管(M1)、所述第二晶體管(M2)以及所述第四晶體管(M4)開關導通,所述輸入端口(P1)與所述第三輸出端口(P4)導通。
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