[發明專利]提升稀土元素利用率的釹鐵硼制備方法

在審

• 申請號: 202011197006.4
• 申請日: 2020-10-30
• 公開（公告）號: CN112750614A
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發明（設計）人: 李一萌;左志軍;唐天平
• 申請（專利權）人: 北京京磁電工科技有限公司
• 主分類號: H01F41/02
• 分類號: H01F41/02;H01F1/057
• 代理公司: 北京遠大卓悅知識產權代理有限公司 11369
• 代理人: 史霞

1.提升稀土元素利用率的釹鐵硼制備方法，其特征在于，步驟包括：

1)將燒結的釹鐵硼磁體表面涂覆三元非稀土合金粉末AlaCubT100-a-b，其中，AlaCubT100-a-b粉末中，T為Nb、Ga、Ce、Hf、Ni中的一種或幾種，a為Al的質量分數且a為60％-70％，進一步的65％-70％，b為Cu的質量分數且b為20％-30％，且所述三元非稀土合金粉末的熔點小于或等于650℃；

2)將涂覆有三元非稀土合金粉末AlaCubT100-a-b的釹鐵硼磁體進行熱處理，所述熱處理的溫度為600～750℃，時長為2～4h，所得的釹鐵硼磁體內部形成含有Al-Cu-T的過渡層，所述過渡層的厚度大于或等于200μm；

3)將R-M金屬薄片放置在步驟2所得的釹鐵硼磁體表面上，然后放入惰性氣體保護箱20～30min后放入燒結爐進行燒結，燒結溫度為1100～1150℃，燒結溫度為3.5～5h后冷卻取出，其中所述R-M金屬薄片，R為La、Ce、Nd、Sm中的一種或組合且必須含有Sm，M為Cu、Ga中的一種或組合；其中R與M的質量分數比小于或等于1/2；

4)表面酸洗，洗凈殘留在磁體表面的R-M金屬殘渣。

2.根據權利要求1所述的提升稀土元素利用率的釹鐵硼制備方法，其特征在于，所述燒結釹鐵硼磁體的方法為：

1)選取釹鐵硼磁體的原材料為R-Fe-B磁體，其中，R為Nd、Pr、La、Ce、Sm、Tb、Dy、Gd、Ho中的至少一種且必須含Nd；

2)將選取的釹鐵硼磁體的原材料投入到真空熔煉爐中，抽至真空度低于5pa后進行加熱熔煉，先加熱至550-650℃熔煉8-15min，停止加熱并充入惰性氣體至熔煉爐中內壓為0.05-0.08Mpa，加熱至1400-1500℃熔煉10-15min，熔煉液體倒入深度為0.2-0.5mm的冷錠模中，冷卻成型，得到釹鐵硼合金薄片；

3)將步驟2制備的所述釹鐵硼合金薄片放入氫破爐，在0.1～0.12Mpa下吸氫飽和，在500-600℃下脫氫，得到粗粉；向粗粉中加入潤滑劑，在氣流磨中磨成平均粒度為2.6-3.4um的粉料；

4)在惰性氣體的保護下，將步驟3制備的粉料在壓機磁場強度為1.5-1.7T的模具中成型得到釹鐵硼磁鋼毛坯，成型密度在3.5-4.0g/cm³；

5)燒結回火，先升到1000-1020℃，保溫3-4小時進行致密化燒結；燒結結束后充惰性氣體，冷卻到100℃后再次升溫到850-900℃，保溫1.5-2.5小時進行第一級回火，保溫結束后惰性氣體冷卻至80-90℃，升溫至470-500℃保溫3.5-4小時進行第二級回火，保溫結束后充惰性氣體冷卻至100℃以下出爐，即可得到燒結釹鐵硼磁體。

3.根據權利要求1所述的提升稀土元素利用率的釹鐵硼制備方法，其特征在于，所述R-M金屬薄片的制備方法為：將R-M金屬薄片的原料通過熔煉甩帶工序制備成速凝合金鑄片，其中銅輥線速度范圍為1.1-1.8m/s，澆注溫度為1300-1400℃。

4.根據權利要求1所述的提升稀土元素利用率的釹鐵硼制備方法，其特征在于，制備R-M金屬薄片過程中，加入的惰性氣體為氬氣。

5.根據權利要求1所述的提升稀土元素利用率的釹鐵硼制備方法，其特征在于，制備燒結釹鐵硼的過程中，加入的惰性氣體為氬氣。

6.一種提升稀土元素利用率的釹鐵硼磁體，其特征在于，其由如權利要求1至5所述的任一項方法制備得到。