[發(fā)明專利]一種高增透鍍膜防霧樹脂鏡片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011196676.4 | 申請日: | 2020-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN112305780B | 公開(公告)日: | 2022-05-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王傳寶;嚴(yán)清波;儲林興 | 申請(專利權(quán))人: | 江蘇康耐特光學(xué)有限公司;上海康耐特光學(xué)有限公司 |
| 主分類號: | G02C7/02 | 分類號: | G02C7/02;G02B1/18;G02B1/14;G02B1/00;C23C14/24;C23C14/10;C23C14/08;C23C14/06 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 高增透 鍍膜 樹脂 鏡片 | ||
1.一種高增透鍍膜防霧樹脂鏡片,包括鏡片基體和基體內(nèi)外兩面的加硬層,其特征在于所述內(nèi)外兩面的加硬層表面都鍍有高增透防霧膜層,所述高增透防霧膜層中包括多個(gè)無機(jī)物分層,其中包括羥基磷灰石和氧化鈰的混合物層,氧化鋁和氧化鋯的混合物層;
所述高增透防霧膜層包括二氧化硅層、二氧化鋯層、羥基磷灰石和氧化鈰的混合物層以及氧化鋁和氧化鋯的混合物層組成的5個(gè)分層,5個(gè)膜層總厚度為50 nm ~400nm;
5個(gè)分層從內(nèi)向外依次為第一層二氧化硅層,厚度為50 nm ~200 nm,第二層二氧化鋯層,厚度為10 nm ~88 nm,第三層二氧化硅層,厚度為8 nm ~54 nm,第四層氧化鋁和氧化鋯的混合物層,厚度為5 nm ~20 nm,第五層羥基磷灰石和氧化鈰的混合物層,厚度為4 nm ~15nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高增透鍍膜防霧樹脂鏡片,其特征在于所述氧化鋁和氧化鋯的混合物層中,氧化鋁和氧化鋯的質(zhì)量比為2~8:8~2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高增透鍍膜防霧樹脂鏡片,其特征在于所述羥基磷灰石和氧化鈰的混合物層中,羥基磷灰石和氧化鈰的質(zhì)量比為1~9:9~1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高增透鍍膜防霧樹脂鏡片,其特征在于所述第一層二氧化硅層的厚度為60 nm ~100nm,第二層二氧化鋯層的厚度為20 nm ~50nm,第三層二氧化硅層的厚度為15 nm ~35nm,第四層氧化鋁和氧化鋯的混合物層的厚度為8 nm ~16nm,第五層羥基磷灰石和氧化鈰的混合物層的厚度為5 nm ~10nm。
5.一種高增透鍍膜防霧樹脂鏡片的制備方法,其特征在于包括以下步驟:
(1)浸涂加硬層:將鏡片基體在加硬液中進(jìn)行浸涂處理,然后在100~120℃下固化2~3小時(shí);所述加硬液為有機(jī)硅類加硬液;
(2)真空鍍膜:將固化好加硬膜層的鏡片進(jìn)行真空蒸發(fā)鍍膜,在加硬層上,依次蒸鍍第一層二氧化硅層、第二層二氧化鋯層、第三層二氧化硅層,第四層氧化鋁和氧化鋯混合物層,第五層羥基磷灰石和氧化鈰混合物層,5個(gè)膜層總厚度為50 nm ~400nm;5個(gè)分層從內(nèi)向外依次為第一層二氧化硅層,厚度為50 nm ~200 nm,第二層二氧化鋯層,厚度為10 nm ~88nm,第三層二氧化硅層,厚度為8 nm ~54 nm,第四層氧化鋁和氧化鋯的混合物層,厚度為5nm ~20 nm,第五層羥基磷灰石和氧化鈰的混合物層,厚度為4 nm ~15nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高增透鍍膜防霧樹脂鏡片的制備方法,其特征在于所述真空鍍膜步驟中:第一層二氧化硅層厚度為50nm~200nm,蒸發(fā)速率為0.8nm/s~1.2nm/s;第二層二氧化鋯層厚度為10nm~88nm,蒸發(fā)速率為0.4nm/s~0.6nm/s;第三層二氧化硅層厚度為8nm~54nm,蒸發(fā)速率為0.6nm/s~0.8nm/s;第四層氧化鋁和氧化鋯的混合物層厚度為5nm~20nm,蒸發(fā)速率為0.08nm/s~0.25nm/s;第五層羥基磷灰石和氧化鈰的混合物層厚度為4nm~15nm,蒸發(fā)速率為0.08nm/s~0.25nm/s。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高增透鍍膜防霧樹脂鏡片的制備方法,其特征在于所述真空鍍膜步驟中:
第一層二氧化硅層厚度為60 nm ~100nm,蒸發(fā)速率為0.9nm/s~1.1nm/s;第二層二氧化鋯層厚度為20nm ~50nm,蒸發(fā)速率為0.45nm/s~0.55nm/s;第三層二氧化硅層厚度為15nm ~35nm,蒸發(fā)速率為0.65nm/s~0.75nm/s;第四層氧化鋁和氧化鋯混合物層厚度為8nm~16nm,蒸發(fā)速率為0.10nm/s~0.20nm/s;第五層羥基磷灰石和氧化鈰的混合物層的厚度為5nm ~10nm,蒸發(fā)速率為0.10nm/s~0.20nm/s。
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