[發明專利]清洗槽組件和半導體清洗設備在審
| 申請號: | 202011196473.5 | 申請日: | 2020-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN112349629A | 公開(公告)日: | 2021-02-09 |
| 發明(設計)人: | 董麗榮;吳儀;劉曉環 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;B08B3/14;B08B3/04 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 清洗 組件 半導體 設備 | ||
1.一種清洗槽組件,所述清洗槽組件包括清洗槽和循環管路,所述循環管路的第一端用于接收所述清洗槽排出的液體,所述循環管路的第二端用于將所述循環管路中的液體排入所述清洗槽中,其特征在于,所述循環管路包括連接管路、過濾支路和清洗支路,所述過濾支路中設置有過濾裝置;
所述過濾支路和所述清洗支路并聯連接,且所述過濾支路和所述清洗支路的并聯端通過所述連接管路分別與所述第一端和所述第二端連通;
所述并聯端上設有切換閥,所述循環管路通過切換閥能夠選擇性地將所述過濾支路或所述清洗支路中的一者與所述連接管路連通,使所述清洗槽中的液體循環地經過對應導通的所述過濾支路或所述清洗支路。
2.根據權利要求1所述的清洗槽組件,其特征在于,所述清洗支路上設置有鼓泡發生器,所述鼓泡發生器用于向經過所述清洗支路的液體中提供氣泡。
3.根據權利要求2所述的清洗槽組件,其特征在于,所述清洗槽的頂部具有清洗槽開口,所述清洗槽開口的周圍環繞設置有溢流槽,所述溢流槽用于承載由所述清洗槽開口中溢出的液體,所述溢流槽的底部開設有溢流孔,所述循環管路的第一端與所述溢流孔連通,所述清洗槽上開設有回流孔,所述循環管路的第二端與所述回流孔連通。
4.根據權利要求3所述的清洗槽組件,其特征在于,所述清洗槽組件還包括勻流板,所述勻流板設置于所述清洗槽內,且所述勻流板位于所述回流孔和所述溢流槽之間,所述勻流板上形成有多個沿厚度方向貫穿所述勻流板的勻流孔。
5.根據權利要求1所述的清洗槽組件,其特征在于,所述過濾裝置的進液口和出液口均靠近各自相對側的所述并聯端設置。
6.根據權利要求1至5中任意一項所述的清洗槽組件,其特征在于,所述清洗槽組件還包括循環泵,所述循環泵設置在所述循環管路上,用于驅動所述循環管路中的液體由所述第一端向所述第二端流動。
7.根據權利要求1至5中任意一項所述的清洗槽組件,其特征在于,所述清洗槽組件還包括加熱器,所述加熱器設置在所述連接管路上,用于對所述循環管路中的液體進行加熱。
8.根據權利要求1至5中任意一項所述的清洗槽組件,其特征在于,所述清洗槽組件還包括上電極和下電極,所述上電極可升降的設置在所述清洗槽的上方,所述下電極設置在所述清洗槽的下方,所述清洗槽組件還包括電源組件,用于向所述上電極和所述下電極上加載電壓,使所述上電極與所述下電極之間產生電場,控制所述清洗槽內的帶電粒子運動。
9.一種半導體清洗設備,所述半導體清洗設備包括多個清洗槽組件和晶片傳輸裝置,所述晶片傳輸裝置用于將晶片傳輸至所述清洗槽組件中或者取出所述清洗槽組件中的晶片,其特征在于,至少一個所述清洗槽組件為權利要求1至8中任意一項所述的清洗槽組件。
10.根據權利要求9所述的半導體清洗設備,其特征在于,所述半導體清洗設備包括沿第一方向相鄰設置的工藝區域和管路區域,多個所述清洗槽組件的清洗槽沿第二方向間隔設置在所述工藝區域,所述清洗槽組件的循環管路設置在所述管路區域。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





