[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體工藝設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011196032.5
• 申請(qǐng)日: 2020-10-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112391597B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-12-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金晨;李建銀
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北京七星華創(chuàng)集成電路裝備有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23C14/34
• 分類(lèi)號(hào): C23C14/34;C23C14/16;C23C14/56
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;王婷

1.一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備，用于對(duì)基片進(jìn)行沉積工藝，其特征在于，包括：工藝腔室、電極組件、進(jìn)氣機(jī)構(gòu)、移動(dòng)機(jī)構(gòu)及抽氣機(jī)構(gòu)；

所述電極組件及所述進(jìn)氣機(jī)構(gòu)均設(shè)置于所述工藝腔室的頂壁上，并且均沿第一方向延伸布置；所述進(jìn)氣機(jī)構(gòu)圍繞所述電極組件設(shè)置；

所述移動(dòng)機(jī)構(gòu)設(shè)置于所述工藝腔室內(nèi)的底部，并且沿第二方向延伸設(shè)置，用于承載并帶動(dòng)所述基片沿所述第二方向移動(dòng)，所述第二方向與所述第一方向相交；

所述抽氣機(jī)構(gòu)設(shè)置于所述工藝腔室的頂壁且與所述工藝腔室連通，所述抽氣機(jī)構(gòu)位于所述電極組件的一側(cè)，所述抽氣機(jī)構(gòu)在所述工藝腔室內(nèi)具有抽氣口，所述抽氣口沿所述第一方向延伸且靠近所述進(jìn)氣機(jī)構(gòu)設(shè)置，所述抽氣口用于對(duì)通過(guò)的工藝氣體進(jìn)行均壓，以使所述工藝腔室內(nèi)的工藝氣體能夠均勻地通過(guò)所述基片表面；

所述進(jìn)氣機(jī)構(gòu)包括沿所述第一方向設(shè)置的兩個(gè)進(jìn)氣裝置，兩個(gè)所述進(jìn)氣裝置均設(shè)置于所述工藝腔室的頂壁上，并且對(duì)稱(chēng)設(shè)置于所述電極組件的兩側(cè)，每個(gè)所述進(jìn)氣裝置上均設(shè)置進(jìn)氣孔，所述進(jìn)氣裝置用于通過(guò)所述進(jìn)氣孔向所述工藝腔室內(nèi)輸送工藝氣體；

所述抽氣機(jī)構(gòu)包括導(dǎo)流罩及勻流板，所述導(dǎo)流罩的頂端與所述工藝腔室的頂壁內(nèi)側(cè)連接，所述導(dǎo)流罩的底端位于所述移動(dòng)機(jī)構(gòu)上方，并且所述導(dǎo)流罩圍繞所述進(jìn)氣裝置設(shè)置，用于將等離子體引導(dǎo)至所述基片的上方；所述勻流板設(shè)置于所述工藝腔室內(nèi)，所述勻流板靠近所述導(dǎo)流罩的側(cè)邊與所述導(dǎo)流罩的底端間隔設(shè)置以形成所述抽氣口，或者所述勻流板靠近所述導(dǎo)流罩的側(cè)邊與所述導(dǎo)流罩的底端連接，所述勻流板上形成有多個(gè)并列排布的抽氣口。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備，其特征在于，所述抽氣機(jī)構(gòu)還包括抽氣裝置及設(shè)置在所述抽氣裝置內(nèi)的流量調(diào)節(jié)閥，所述抽氣裝置設(shè)置于所述工藝腔室的頂壁上，所述流量調(diào)節(jié)閥用于調(diào)節(jié)所述抽氣裝置的氣體流量。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備，其特征在于，所述抽氣裝置為高真空泵，所述流量調(diào)節(jié)閥為蝶閥。

4.如權(quán)利要求1至3的任一所述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備，其特征在于，所述移動(dòng)機(jī)構(gòu)包括托盤(pán)及移動(dòng)裝置，所述托盤(pán)設(shè)置于所述移動(dòng)裝置上，用于承載一個(gè)或多個(gè)所述基片；所述移動(dòng)裝置用于驅(qū)動(dòng)所述托盤(pán)帶動(dòng)所述基片移動(dòng)。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備，其特征在于，所述電極組件及所述進(jìn)氣機(jī)構(gòu)在所述第一方向上具有第一尺寸，所述托盤(pán)在所述第一方向上具有第二尺寸，所述第一尺寸大于所述第二尺寸，所述第一尺寸與所述第二尺寸的差值為預(yù)設(shè)數(shù)值，所述預(yù)設(shè)數(shù)值大于150毫米，且小于等于200毫米。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備，其特征在于，所述電極組件、所述進(jìn)氣機(jī)構(gòu)、所述移動(dòng)機(jī)構(gòu)及所述抽氣機(jī)構(gòu)均在所述第一方向上居中設(shè)置。

7.如權(quán)利要求1至3的任一所述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備，其特征在于，所述電極組件包括旋轉(zhuǎn)陰極及稀土靶材，所述旋轉(zhuǎn)陰極設(shè)置于所述工藝腔室的頂壁外側(cè)，所述稀土靶材對(duì)應(yīng)的設(shè)置于所述工藝腔室的頂壁內(nèi)側(cè)。